近日，美国NoMIS Power公司宣布推出两款中压碳化硅（SiC）MOSFET产品，进一步扩展其在高压半导体市场的布局。这两款新器件包括N3PT035MP330K和N3PT100MP170K，分别针对3.3 kV和1.7 kV的应用需求设计。

N3PT035MP330K的额定电压为3.3 kV，导通电阻为35 mΩ，电流能力达88 A，适用于中压转换器级应用，有助于降低开关损耗并实现紧凑型设计。另一款N3PT100MP170K的额定电压为1.7 kV，导通电阻为100 mΩ，电流能力为24 A，主要针对约1 kV直流母线场景，如牵引辅助系统、充电子系统和工业电源等领域。

这是NoMIS Power首次推出1.7 kV级别的SiC MOSFET产品，标志着公司向更高电压SiC技术领域的战略迈进。这一进展得益于其下一代平面SiC技术平台中优化的单元结构，使产品性能从原有的1.2 kV级别提升至1.7 kV和3.3 kV级别。该平台旨在支持更高效率、更高开关频率、提升转换器功率密度，并确保在严苛环境下的长期可靠性。

两款器件均采用低比导通电阻和加厚栅极氧化物的设计，以增强鲁棒性。它们的工作温度最高可达175°C，栅极驱动电平额定为+18 V和+20 V，确保与现有栅极驱动器基础设施的兼容性。该技术平台还具备高dV/dt能力，在中高压开关条件下平衡了效率与坚固性。关键性能指标包括低Ron·Coss和Ron·Crss值，以及针对1.7 kV器件的低Ron·Ciss。

这些SiC MOSFET的目标应用广泛，涵盖公用事业规模电池储能系统、可再生能源转换器、高压直流接口、固态变压器、直流固态断路器、航空航天和国防电源系统、铁路和重型运输电气化、船舶推进以及中压工业驱动器等领域。NoMIS Power还提供设计支持服务，协助客户从传统基于IGBT的平台迁移到新的SiC技术方案。

目前，这两款器件可提供TO-247-4L封装或裸片样品。公司未来计划推出更高电阻、小芯片的变体版本，以满足更多样化的市场需求。