维度网讯， 印度政府近日披露了“印度半导体使命”（ISM）2.0计划的战略重心，明确将优先支持高带宽内存（HBM）等先进存储芯片封装技术的发展。作为总预算达10万亿卢比的第二阶段半导体激励计划，ISM 2.0旨在建立涵盖设计、设备、材料及研发在内的完整产业生态系统。官方消息人士向媒体透露，针对高性能内存生产的投资申请将在审核过程中获得优先考虑。

HBM制造目前由少数公司主导。根据市场研究数据，截至2025年底，SK海力士、三星和美光占据了全球大部分营收份额。美光在印度古吉拉特邦萨南德投资25亿美元的工厂已投入运营，预计2026年组装测试数千万颗芯片，2027年扩产至数亿颗。

电子和信息技术部长Ashwini Vaishnaw上周指出，该工厂将满足美光全球内存产量约10%。另一位官员表示：“虽然该设施将成为世界上最大的单层组装和测试洁净室之一，但目前尚未计划进行HBM制造。”专家认为，半导体行业价值正逐步向生产环节集中。

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