维度网讯，美国佐治亚理工学院研发出一款新型NAND闪存，可在太空极端辐射条件下稳定运行，同时支持高效人工智能运算。相关论文已刊登于《纳米快报》最新一期，详细说明了该闪存的材料创新和实验验证过程。

闪存采用氧化铪铁电材料，与传统硅工艺完全兼容。该材料在一定温度范围内能够自发产生极化，并可通过外部电场翻转方向，从而保证信息写入与读取的稳定性。这种设计不仅增强了存储器的耐辐射能力，也使其在低功耗高性能计算任务中表现出色。

在实验中，新型铁电NAND闪存承受的辐射剂量达到100万拉德，相当于1亿次X射线照射，其抗辐射能力是传统闪存的30倍。连续高剂量伽马射线和宇宙射线模拟测试显示，数据完整性保持率超过99.9%，适用于航空航天、卫星通信及深空探测等极端环境。

闪存单元由多层氧化铪薄膜构成，通过优化晶体取向和厚度，实现了铁电性能稳定和存储寿命延长。在高负载人工智能运算场景下，该闪存写入和读取速率与传统NAND闪存相当，同时功耗降低约15%，为边缘计算和卫星数据处理提供可靠存储方案。

该技术可在现有CMOS工艺平台量产，为高性能低功耗存储器开发开辟新路径，也为未来AI芯片及航天电子设备提供极端环境下的可靠存储保障。后续实验计划将聚焦材料进一步优化、存储密度提升以及大规模生产工艺成熟化。

项目获得美国国家科学基金会(NSF)资助，并将在国际空间站和深空探测任务中进行进一步验证，为人工智能计算和航天任务提供稳定可靠的数据存储方案。

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