维度网讯，安普隆（Ampleon）推出B11G1822N120D，一款专为宏基站应用设计的双段、两级LDMOS Doherty MMIC，旨在扩展宏驱动器的功率范围。该器件将两个完整的Doherty信号路径集成到单个紧凑封装中，提升了输出功率能力、简化了射频设计，并支持多种系统配置。

B11G1822N120D的工作频率范围为1800 MHz至2200 MHz，符合面向6G的宏基础设施对更高功率密度的行业趋势，为下一代无线网络提供集成功能。

随着基站设计向更高容量和更高灵活性发展，射频工程师需在多频段和多种部署场景下提供一致性能，同时减小尺寸并降低设计复杂性。传统的驱动器解决方案通常需要多个分立器件，并需在路径之间仔细平衡，这增加了设计工作量和系统可变性。B11G1822N120D通过将双Doherty部分（包括载波和峰值放大器）、输入分配、输出合并以及预匹配集成到单个MMIC中解决了这些挑战。

在典型的W-CDMA工作条件下，该器件提供37 dBm平均输出功率，增益为30 dB，漏极效率达27%，同时ACPR水平为-40 dBc。高增益和线性性能的组合实现了对高PAR信号的高效放大，这可能会减少对额外驱动器级的需求。

B11G1822N120D专为多频段和多标准操作设计。其处理大瞬时带宽的能力，结合对载波和峰值偏置的独立控制，使设计人员能在不同工作条件下优化性能，同时保持效率和线性度的一致性。

该器件的关键优势在于其双段架构，可实现多种射频设计方法和系统配置。设计人员可根据系统要求，利用两个集成的Doherty路径支持更高的输出功率水平、并行操作或冗余。这种灵活性有助于降低设计复杂性，并在高密度无线电单元中有效利用板空间。

在部署的稳健性方面，B11G1822N120D设计为在指定工作条件下能承受高达10:1 VSWR的负载失配条件，以在阻抗变化的射频环境中维持运行。其典型条件下的结到外壳热阻低至约2.1 K/W，支持在高功率水平下运行。

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