维度网讯，英飞凌科技股份公司发布了一款基于其CoolSiC Gen2技术的碳化硅双向开关，据称是业界首款同类产品。这款750V器件将两个功率开关整合在单个封装内，旨在简化系统设计，并为汽车、工业和能源领域带来更高效、更紧凑的功率变换方案。

该器件采用垂直集成的双芯片结构配合共漏极配置，封装形式为顶部冷却Q-DPAK。通过将双向开关功能集成到一个组件中，该方案可减少外围元件数量，并支持开发者探索新的功率变换拓扑。

英飞凌表示，750V CoolSiC双向开关针对高效率和长期可靠性的应用场景做了优化。其优化的导通电阻、反向恢复电荷和输出电荷特性，有助于降低开关损耗和导通损耗。其他关键参数包括典型栅极阈值电压4.5V、高抗寄生导通能力，以及-11V至25V的扩展栅极偏置容差。该系列产品初始阶段的导通电阻覆盖14 mΩ至66 mΩ范围。

该双向开关设计用于严苛的功率环境，击穿电压达840V，可支持高于500V的直流母线电压。公司还强调其具备雪崩鲁棒性、高达200°C的过载耐受能力（持续时间100小时）以及2微秒的短路耐受能力，旨在增强对电压浪涌、瞬态事件和浪涌电流的抵抗能力。

作为英飞凌顶部冷却产品线的一员，该器件可支持包括直接液体冷却在内的先进散热管理方案。这一能力对AI基础设施、下一代能源系统等高功率密度应用尤为重要。

在汽车领域，目标应用涵盖车载充电器、电动汽车充电系统、eFuse实现和预充电电路。当与英飞凌的CoolSiC H-DPAK半桥解决方案搭配使用时，该双向开关能支撑基于碳化硅技术的高度集成单级车载充电器架构。

在工业市场，英飞凌指出该器件在AI数据中心的高压直流电源、住宅太阳能和储能系统、HVAC设备、eVTOL电机驱动、配电保护系统，以及自主和类人机器人平台的快速充电基础设施中均有应用机会。目前，750V CoolSiC双向开关已开始提供样品。

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