维度网讯，MACOM Technology Solutions 发布了一项基于其专有AlGaAs二极管技术的新型芯片级热过孔工艺。该工艺通过垂直方式穿过半导体芯片本身来路由射频信号和地路径，替代传统的芯片-键合线连接和基于铜柱的表面贴装技术（SMT）。通过消除传统的外部键合线，该技术降低了组装复杂度，提高了制造一致性，并减少了寄生电感和电阻，从而在毫米波频率下实现低插入损耗和高隔离度。

伴随工艺发布，MACOM推出了首款采用该技术的产品：MASW-011261，一款工作于60至110 GHz范围的宽带SP2T开关。该开关采用紧凑的1.87 mm x 1.98 mm芯片级封装，典型插入损耗为0.9 dB，隔离度为30 dB，开关速度低于20 ns。MACOM将该工艺定位于高频控制功能，包括开关和限幅器，并将在本周于波士顿举行的国际微波研讨会（IMS 2026）上展示该技术。

该工艺的核心特点包括：垂直路由——通过直接垂直穿过AlGaAs芯片来路由射频信号和地路径，从而消除传统键合线；寄生减小——显著减小寄生效应，确保在毫米波频谱深处保持高信号完整性和可靠性能；首款芯片——通过MASW-011261推出，该开关具有0.9 dB插入损耗和低于20 ns的开关速度；目标应用——专为高频射频控制基础设施定制，包括开关、限幅器以及航空航天/国防系统；现场展示——MACOM将在IMS 2026（6月9–11日）期间的#17035展位展示热过孔工艺。

MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示，基于热过孔的新型AlGaAs工艺可以降低组装复杂度，同时提高集成元件的高频性能。随着先进封装持续主导人工智能和高速网络讨论，MACOM的发布凸显出封装创新在超高频射频和毫米波领域同样至关重要。传统键合线会引入不可预测的寄生效应，在100 GHz等极高频下使信号劣化。通过热过孔工艺将互连架构转移到芯片内部，MACOM弥合了原始硅能力与实际表面贴装制造之间的差距。对于关注下一代卫星通信、5G/6G无线回传和高频雷达硬件设备而言，这代表了高成品率、高频元件组装领域的一大进步。

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