维度网讯，荷兰半导体制造商Nexperia宣布扩展其650V工业级高功率氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）产品组合，新增35 mΩ、50 mΩ和70 mΩ三种型号，均采用行业标准的TO-247-3、TO-247-4、TOLL和TOLT封装。该系列器件主要面向数据中心与电信电源、可再生能源系统、电池储能（BESS）以及工业驱动和自动化等对功率转换要求严苛的应用领域。

推动这一产品扩展的市场背景包括：AI计算的快速增长将机架电源需求从3 kW以下提升至5–12 kW级别；可再生能源与工业电气化趋势则要求更高的开关频率和效率。在此趋势下，以GaN为代表的宽禁带技术被视为实现下一代功率转换架构更高效率、更小系统尺寸及更好热管理的关键路径。

Nexperia GaN产品集团副总裁兼负责人Andrea Bricconi表示，向宽禁带功率半导体的转型正在工业、能源和AI基础设施应用中加速推进，公司致力于让GaN技术在高功率应用设计师中更易获取和扩展，此次产品组合的扩充仅是宽禁带领域布局的起步。

在系统层面，这些GaN器件通过更高的开关频率和更低的开关及导通损耗，突破了传统硅基方案的性能极限。设计人员可据此实现更高的功率密度、效率，并降低冷却需求与系统总成本。更高的开关频率还允许使用更小的无源元件和磁性元件，支持更紧凑、可扩展的功率架构。

在典型的10–12 kW AI服务器电源（PSU）的高功率LLC级中，相比硅器件，使用GaN器件在满载下可实现约0.8–1.2%的效率提升，同时在级层面实现约40–70%的功率密度提升。在典型的1 kW高压电机驱动器中，GaN器件可将逆变器功率损耗降低约20–25%，实现约1–1.5%的效率提升，并支持更小的热管理方案及更高的整体功率密度。

上述器件基于Nexperia的GaN技术平台，具备快速开关特性、低开关损耗、受控的动态行为和稳健的热性能，并提供多种行业标准封装选项，以优化电气和机械设计参数，便于集成至现有电源系统架构。

35 mΩ和70 mΩ器件现已提供TOLL、TOLT、TO-247-3和TO-247-4封装，50 mΩ型号计划于2026年第三季度推出。

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