维度网讯，半导体企业SK海力士于6月18日宣布，已提前向客户提供12层HBM4E产品样品，这是一款采用第六代10纳米级1c DRAM的第七代高带宽存储器（HBM）。

SK海力士表示，HBM3、HBM3E和HBM4的量产与供应经验为其加速新产品开发奠定了基础。该公司将通过与关键客户紧密合作，确保按时量产，以化解AI系统中的数据瓶颈。此次样品出货时间早于公司于今年4月第一季度财报电话会上提出的计划——当时该公司表示为今年下半年提供HBM4E样品。

HBM4E在性能与能效方面较上一代HBM4有所提升，主要通过增强核心DRAM裸片、接口架构和制造工艺实现。该产品首次在HBM上应用了第六代10纳米级1c DRAM，此前几代产品（包括HBM4）均采用第五代1b DRAM。每个核心裸片的容量有所增加，采用32Gb（4GB）DRAM裸片，较HBM4的密度提升50%。12层堆叠提供48GB总内存容量，而采用24Gb（3GB）裸片的12层HBM4堆叠容量为36GB。

输入/输出（I/O）引脚数保持2048个，但每个引脚的数据传输速度达到16Gbps，较此前11Gbps至13Gbps的范围提升高达45%。单堆叠可提供约4TB/s的带宽，业内估计较HBM4高出40%至50%。能效也提升超过20%，有助于增强AI训练与推理工作负载的性能。

SK海力士表示，HBM4E通过更新的接口与设计优化降低了数据传输延迟，在高带宽计算环境中保持稳定运行。该产品有望提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。公司未披露基础裸片的规格，业内消息人士认为，SK海力士正使用台积电的3纳米级工艺制造HBM4E基础裸片，以提升性能与能效，此前几代基础裸片采用台积电12nm工艺制造。基础裸片作为HBM的控制层，负责数据读写操作、纠错等影响性能与可靠性的功能。

HBM4E采用先进的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）封装工艺进行12层堆叠，使用具有增强热性能的环氧模塑料（EMC）作为DRAM裸片间的粘合剂。该材料先通过高温回流工艺粘合，再使用热压键合系统的热量与压力进行最终贴装。SK海力士表示，与HBM4相比，MR-MUF工艺的优化提高了结构稳定性，并将热阻降低约17%，从而在高性能计算环境中实现更可靠的运行。

SK海力士社长兼首席开发官（CDO）安炫（Ahn Hyun）表示：“HBM4E融合了SK海力士积累的技术专业知识和制造能力，为持续引领AI创新奠定了基础。我们将与合作伙伴一起，积极提供市场所需的价值，并作为全栈AI内存提供商加强技术领导地位。”

三星电子也在5月29日向客户交付了12层HBM4E样品。该产品同样基于32Gb 1c DRAM，基础逻辑裸片采用三星4纳米级代工工艺制造。三星表示该工艺已获得足够的良率与生产就绪性，将根据客户时间表开始量产。随着下一代AI内存需求加速，两家公司预计将积极争夺HBM4E生产合同。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告知，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com