三星电子将4纳米超低功耗工艺用于HBM4基础芯片，由崔正民主导开发，旨在降低功耗并提升性能。随着HBM和AI推理需求扩大，该技术有助于三星4纳米产能利用率快速恢复。

三星电子在平泽园区建设配备50台D2W混合键合机的量产线，用于下一代HBM和逻辑半导体。选定BESI为首要合作伙伴，但需结构性修改且价格高昂，同时考虑国内设备厂商。设备交付预计年底启动，大规模量产或于2030年实现。

存储芯片技术演进：DRAM制程从1α升级至1β，并引入第二代HKMG技术；NAND Flash堆叠层数从176层增至232层，采用CuA和双阵列堆叠架构。这些创新推动更高容量、更快速度和更低成本的数据存储。

存储芯片厂商兆易创新公告，拟使用5亿元A股募集资金向全资子公司珠海横琴芯存增资，用于DRAM募投项目。增资后注册资本增至2亿元。公司上半年预计营收115亿元，净利润69亿元。

韩国浦项科技大学金锡教授团队研发出芯片堆叠新工艺，将转移与金属键合整合为一步，可在180℃下堆叠10层以上14微米超薄芯片，集成密度达传统12层HBM的4倍，有望提升AI半导体性能。

FADU在2026年Q2实现销售额732亿韩元、营业利润163亿韩元，上半年累计销售额1327亿韩元、营业利润240亿韩元；新订单超3400亿韩元，获新全球服务器OEM客户，Gen5 SSD控制器供应扩大。

韩国延世大学研究团队开发出针对HBM优化的超低功耗紧凑型实时接收器，支持每I/O引脚14Gbps数据传输，功耗仅0.163皮焦耳/比特，面积为0.00547平方毫米，旨在提高下一代HBM接口的可靠性。

复旦大学周鹏、刘春森团队7月17日在《科学》发表成果，研制出“归壹”量子闪存器件，实现室温下单个电子稳定存储，达到“一电子、一比特”存储密度物理极限，并创新提出“态密度剪刀”理论。

维度网讯，铠侠（Kioxia）位于日本岩手县北上市的新工厂拟于9月投产，这家NAND闪存芯片制造商希望借助人工智能需求推动业务增长。该公司股价今年已上涨约七倍，并于6月一度超越丰田汽车成为日本市值最高...

维度网讯，三星电子（Samsung Electronics）预计第二季度营业利润大幅增长，主要受益于内存芯片需求上升及其在AI基础设施组件领域的供应地位。该公司预估，4月初至6月底的营业利润为8.9万...

维度网讯，SK海力士将通过美国存托凭证（ADR）公开发行所筹集的资金，重组人工智能（AI）半导体供应链，其核心举措包括在龙仁开设半导体集群、在清州扩大新一代高带宽存储器（HBM）与DRAM产能，以及在...

维度网讯，华为正在支持中国一个大型DRAM制造项目，该项目由深圳国资背景的内存公司SwaySure Technology负责，拟建的12英寸晶圆厂将采用28nm工艺，目标月产能为14万片晶圆。此举旨在...

维度网讯，韩国三星电子与韩国SK海力士2026年先后宣布，16层堆叠HBM4已进入量产爬坡阶段。随着单颗存储芯片集成更多DRAM裸片、硅通孔和微凸点，晶圆测试环节的精度开始直接影响成品良率，过去被视为...

维度网讯，中国存储芯片企业长鑫科技公布下一阶段技术建设方向，计划围绕存储器晶圆制造量产线升级、DRAM存储器技术迭代以及动态随机存取存储器前瞻技术研究展开建设。相关安排覆盖现有生产线改造、制造工艺优化...

维度网讯，日本广岛县东广岛市，美光科技正式启动总额1.5万亿日元（约合93亿美元）的工厂扩建项目，该项目已于当地时间2026年7月4日举行奠基仪式。这是美光针对人工智能时代存储需求爆发进行的核心产能布...

维度网讯，近日，中国中科曙光(曙光信息产业股份有限公司)公布三项人工智能基础设施升级安排，建设内容覆盖面向人工智能的先进算力集群系统、下一代高性能AI训推一体机和国产化先进存储系统。三项工程均由中国中...

维度网讯，SK海力士公布了总额57.4万亿韩元的投资计划，重点用于扩充国内半导体生产设施及采购极紫外（EUV）光刻设备。根据该企业向美国证券交易委员会（SEC）提交的证券申报书，投资资金涵盖美国存托凭...

维度网讯，SK海力士（SK Hynix）与长鑫存储（CXMT）分别披露了各自的发展数据，从营收、盈利能力、研发投入、产品结构到产能规划，两者在同一轮存储上行周期中展现出截然不同的成长路径与阶段性特征。...

维度网讯，SK集团与台积电（TSMC）近期举行高层会晤，双方计划在高带宽内存、先进逻辑工艺及面向人工智能的定制内存领域深化合作。两家公司在人工智能系统供应链中分别扮演先进内存制造商和最大芯片代工商的关...

维度网讯，SanDisk与Kioxia联合开发的第十代3D NAND闪存芯片BiCS10已开始送样。这款1Tb TLC芯片采用332个存储层集成于一个裸片的设计，实现了每平方毫米超过29Gb的区域比特...

维度网讯，美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）在美光半导体工厂活动现场直接点名三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix），要求其扩大在美...

维度网讯，湖北省集成电路产业近日传来新进展。光谷金控集团与长江存储的合作正式落地，光谷筑芯科技产业园（一期）将纳入长江存储体系并更名为“长江存储存算一体双创园”，旨在打造存算一体化产业生态载体。同时，...

维度网讯，蔡司(ZEISS)在韩国京畿道龙仁市开设全球首个半导体创新中心，以强化针对高带宽存储器(HBM)和3D存储器等下一代半导体解决方案的本地响应能力，加速开发进程。 蔡司10日在首尔举行记者座谈...

维度网讯，南亚科技（Nanya Technology）总裁李培瑛（Pei-Ing Lee）在一次线上简报中宣布，该公司计划到2027年将资本支出提升至超过2000亿新台币（约合62亿美元），约为今年预...

维度网讯，三星电子凭借存储器业务的强劲表现，其第二季度业绩预期引发市场高度关注。根据伦敦证券交易所集团(LSEG)汇总30家机构预测，三星Q2营业利润预计达86万亿韩元(约合563.5亿美元)，远超去...

维度网讯，美光科技宣布了在美国本土的长期投资计划，金额超过2500亿美元，较去年2000亿美元的目标显著提升。这一计划旨在将公司DRAM（动态随机存取存储器）产量的40%转移至美国本土生产。 7月9...

维度网讯，韩国和日本两支研究团队在IEEE超大规模集成电路研讨会上分别提出DRAM芯片侧堆叠方案，试图突破高带宽内存（HBM）面临的过热与带宽瓶颈。 当前数据中心GPU使用的HBM由多层DRAM芯片垂...

维度网讯，长鑫科技将于2026年7月16日开启新股申购，公司已正式披露科创板上市招股意向书。证券代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。 董事长朱一明承诺上市10年不减持、后10年...

维度网讯，三星电子于7月8日宣布，已开始量产其首款基于PCI Express（PCIe）6.0的企业级固态硬盘（eSSD）PM1763。 PM1763将三星第九代V-NAND与该公司新的4纳米PCI...

维度网讯，JEDEC（联合电子设备工程委员会）发布新规范，旨在降低驱动最快AI处理器的超高成本HBM（高带宽存储器）的价格。新标准通过支持无需先进封装即可安装SPHBM4内存堆栈，并使用廉价有机基板，...