维度网讯，高通（Qualcomm）正式推出其最新的近内存计算架构——高带宽计算（HBC），旨在突破长期制约AI处理性能的内存墙瓶颈。
高通在公告中表示，HBC架构将AI加速器与系统级芯片（SoC）分离，直接置于LPDDR DRAM堆栈下方。该加速器通过硅通孔连接LPDDR堆栈，以提供高带宽和高容量，无需使用昂贵的HBM内存和先进封装。高通称，该架构的每瓦带宽比HBM高6倍，容量是片上SRAM的200倍以上。
高通数据中心业务执行副总裁兼总经理托尼·皮亚利斯（Tony Pialis）解释，“将AI加速器从XPU中分离出来，并将XPU直接置于DRAM堆栈下方，带来了SRAM的性能优势以及堆叠内存的密度和容量，由此HBM相关的瓶颈消失。”他补充说，该方案可降低功耗和热量，并去除昂贵的硅中介层，企业还可使用标准封装集成多个HBC堆栈以提升性能成本比。
业内此前已有类似探索。无晶圆厂ASIC设计服务公司GUC曾提出DRAM-on-Logic（DoL）技术，将多至四层DRAM堆叠在逻辑之上，获得约5 TB/s内存带宽。由于高通未公布HBC的具体性能数据，目前难以与GUC方案直接比较。此外，高通未明确HBC加速器的具体功能，它可能是专用的近内存transformer引擎、张量核心集合，或用于AI推理或训练的预处理逻辑。
高通同时披露了HBC路线图。AI200加速器将于今年晚些时候推出，采用LPDDR5X，每机架提供43 TB RAM。后续产品AI250将采用第一代HBC，带宽是AI200的18倍。AI300将采用第二代HBC，带宽是AI300的54倍。
高通近期通过多项战略举措巩固其在AI市场的地位，包括完成一项价值40亿美元的收购，以及发布面向入门级笔记本的Snapdragon C产品，售价约400万印尼盾。HBC架构的推出正值半导体行业激烈竞争之际，三星Exynos 2600等传闻使业界关注最新制程进展。高通表明，其不仅关注处理器，也关注更高效的内存解决方案。
与HBM技术相比，高通方案采用标准封装和更便宜的LPDDR内存，以较低成本提供解决方案。但关于HBC在各类AI工作负载中的有效性仍有疑问。在详细规格和性能基准公布前，外界尚难以客观评估高通的声明。
与此同时，半导体行业内存创新持续。NEO Semiconductor近期宣布其用于AI处理器的3D X-DRAM通过概念验证。三星展示了首款采用Heat Path Block冷却技术的HBM5样机。对于高通而言，HBC的成功将取决于市场采纳，其需说服服务器和数据中心制造商相信该架构的附加值。
高通计划持续推动HBC技术多代发展。AI250搭配第一代HBC承诺提供18倍带宽提升，AI300搭配第二代HBC将提供54倍提升。这些数字若实现，将是AI领域巨大的性能飞跃。
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