维度网讯，当地时间7月2日，美国闪迪公司宣布，第10代3D NAND闪存技术BiCS10 1Tb TLC开始提供样品。该产品将存储层数提升至332层，并集成Toggle DDR6.0、SCA协议和PI-LTT技术，面向高速、低功耗和高密度数据存储需求。
BiCS10 1Tb TLC延续闪迪BiCS三维NAND架构，并采用CBA晶圆键合技术，将CMOS逻辑和存储阵列分别制造后再进行高精度晶圆对晶圆键合。这样做可以在有限芯片面积内继续提高存储密度，同时为接口速度、功耗控制和I/O效率留出设计空间。按照闪迪公布的数据，BiCS10 TLC的存储密度超过29Gb/mm²，相比正在量产的第8代3D闪存，位密度提升59%;NAND接口速度最高可达4.8Gb/s，提升幅度为33%。对于SSD、企业级存储和高吞吐数据设备来说，更高接口速度意味着闪存颗粒与主控之间的数据传输能力提升，后续还要配合控制器、固件、通道架构和封装方案，才能转化为整盘性能。
332层堆叠反映出3D NAND仍在继续向更高层数、更高密度推进。层数增加后，制造工艺需要处理深孔刻蚀、薄膜沉积、层间一致性、良率控制和可靠性验证等问题，技术难度并不只体现在堆得更高。
闪迪此次还强调了Toggle DDR6.0、SCA协议和PI-LTT技术。Toggle DDR6.0用于提升NAND接口传输能力，SCA协议将命令/地址输入总线与数据传输总线分离，使两类信号可以并行工作，从而减少数据输入输出时间。PI-LTT则通过在NAND接口电源中使用既有1.2V电源和额外低电压电源，降低数据输入输出过程中的功耗。官方数据称，与BiCS8相比，BiCS10 TLC的数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。这些改进会影响移动设备、客户端SSD、企业级SSD和数据中心存储的能效表现，尤其在AI数据集、视频内容、日志数据和云端冷热数据混合增长的背景下，存储设备需要同时兼顾容量、吞吐、功耗和长期运行稳定性。
BiCS10 1Tb TLC进入样品阶段后，下游客户还需要围绕主控适配、固件调优、封装设计、系统验证和可靠性测试继续推进。NAND颗粒从样品到规模化进入终端产品，通常要经历客户验证、平台认证、量产爬坡和不同容量型号组合。闪迪此次发布的不是终端SSD新品，而是底层闪存技术节点更新;后续它会影响消费级SSD、企业级SSD、嵌入式存储、数据中心存储和高容量闪存产品的设计空间。随着AI驱动型工作负载扩大，数据读取、模型参数存储、训练样本管理和推理日志都会持续增加，3D NAND的密度、接口速度和能效改进会继续进入存储系统选型指标。
