维度网讯，半导体材料供应商IQE与代工厂商Tower Semiconductor（高塔半导体）签署一项多年协议，合作开发基于磷化铟（InP）技术的光连接方案，以支持面向工业应用的AI驱动数据中心基础设施。
该协议聚焦于InP外延片供应。IQE将为Tower的多个硅光子学平台提供外延片，支持针对高性能AI环境设计的光学技术，这些技术用于智能工厂和先进制造系统。
合作范围覆盖可支持每通道200Gb/s可插拔收发器的生产技术，并计划开发未来每通道400Gb/s的调制器。协议还涉及光路交换应用——该技术因有助于运营商更高效地管理服务于制造业的大规模AI数据中心内部流量而受到关注。
随着AI在工业领域部署增加，网络基础设施成为关键瓶颈。用于系统间数据传输的光学组件正吸引供应链各环节的新投资。该协议巩固了IQE在支持制造业数字化的AI和云基础设施市场中的地位。
IQE首席执行官Jutta Meier表示，很高兴与Tower合作，Tower已是硅光子学领域领导者。该协议巩固了IQE在全球一级超大规模云和AI基础设施市场中的地位。IQE凭借数十年InP外延技术经验和成熟的大批量制造能力，已准备好支持下一代光连接应用从创新走向商业部署。
AI正推动对更强芯片的竞争，但连接这些处理器的基础设施同样重要。超大规模运营商构建更大AI集群时，在服务器、交换机和存储系统间移动海量数据构成重大挑战。光网络技术被视为一种解决方案，因为它允许数据中心在管理功耗和延迟的同时扩展带宽。
双方合作将IQE在化合物半导体材料方面的专长与Tower成熟的硅光子学制造能力结合。硅光子学利用半导体制造工艺集成光通信组件，有助于提高性能并支持大规模生产。Tower表示，在其硅光子学平台中加入基于InP的组件将有助于满足未来AI基础设施的性能要求。
Tower Semiconductor总裁Marco Racanelli博士表示，很高兴与IQE合作，IQE成为其下一代光子技术的关键供应商，该技术将InP高性能组件添加到成熟的大批量硅光子学平台中。
除供应协议外，双方还解决了一项知识产权纠纷。根据一项单独安排，Tower将向IQE提供一项全球免版税许可，涵盖此前两家公司诉讼所涉及的多孔硅专利。和解消除了一个潜在障碍，使两家公司能专注于扩大在快速增长的AI市场中的作用。
