英飞凌科技近日发布新一代EDT3 IGBT芯片技术，该技术相比前代产品在高负载工况下可降低总损耗达20%，同时保持低负载效率。新芯片提供750V和1200V两种电压等级，最高结温达185°C，适用于纯电动、插电混动等各类电动汽车的主逆变器应用。

英飞凌汽车高压芯片副总裁Robert Hermann表示："作为IGBT技术领导者，我们致力于通过创新推动脱碳进程。EDT3解决方案将帮助客户实现更优的系统性能。"该技术已集成至HybridPACK Drive G2汽车功率模块，功率范围可达250kW，并配备新一代相电流传感器等创新功能。

Leadrive创始人沈杰博士评价道："EDT3芯片优化了损耗分布，支持更高工作温度，其多金属化工艺选项有助于先进封装技术的推广应用。"1200V RC-IGBT芯片通过整合IGBT与二极管功能，提升了电流密度，为系统带来成本优势。