维度网讯，韩国三星电子正在位于京畿道龙仁市的器兴工厂筹建一座新的DRAM生产工厂，计划将原本用于建设研发中心的地块改建为存储器生产设施。新工厂预计月产能约为10万片晶圆，投资额或达数万亿韩元，最快将于第三季度开工。三星电子此次调整建设规划，主要是为了应对全球人工智能基础设施投资加速带来的存储器需求增长及市场供应短缺。

目前，三星电子已成立内部筹建机构，负责推进新工厂的规划和建设。该项目规模相当于附近华城工厂的一座厂房。为配置DRAM生产线所需的辅助设施，公司还在考虑拆除器兴工厂内的部分既有建筑。

新建DRAM工厂的选址原为“SR5”大楼所在地。SR5曾是三星器兴工厂的代表性研发中心，也是三星半导体业务的发源地。该中心由三星电子创始人李秉喆于1987年设立，李秉喆曾在此向员工强调“无限探索”的精神。

由于SR5原有设施已难以满足1纳米级超精细工艺及尖端存储器研发需求，三星电子管理层于去年年底至今年年初拆除了该大楼。

按照此前规划，SR5拆除后，三星电子将在原址建设两座新的研发中心大楼，作为器兴工厂的“研发控制塔”，其功能类似于附近华城工厂的DSR塔。随着负责三星电子半导体业务的设备解决方案部门规模扩大、研发人员增加，公司原计划通过建设新的研发中心进一步扩充研发空间。

不过，在全球人工智能基础设施投资快速增长、存储器市场供应趋紧的背景下，三星电子最终调整了原有规划，将该地块的用途由研发中心改为存储器生产设施。

近期，全球信息技术企业加快建设大规模人工智能计算数据中心，带动存储器需求持续增长。特别是在DRAM厂商难以充分满足高带宽内存需求的情况下，智能手机和个人电脑所使用的通用型存储器也开始出现供应紧张。

市场研究机构Counterpoint Research预计，受产品价格上涨推动，今年全球DRAM市场收入将由1500亿美元增至2100亿美元，约合312万亿韩元。

随着市场需求扩大，三星电子正加快提升半导体产能。一位业内人士表示，仅今年上半年，三星电子营业利润就超过140万亿韩元，公司目前正在寻找扩大资本投资的机会。业内分析认为，与继续建设研发中心相比，三星电子管理层现阶段更加重视迅速扩充产能，以应对存储器需求增长。

除在器兴工厂筹建新的DRAM工厂外，三星电子还在以平泽工厂为核心推进半导体产能扩张。平泽4号工厂正在建设一条新生产线，规划每月生产10万片第六代高带宽内存HBM4所需的DRAM晶圆。

三星电子还计划在京畿道龙仁市建设新的工厂，将其打造为下一代半导体产业集群，目标于2029年投入运营。此外，公司还在全罗南道光州市的半导体产业集群内建设第二座先进半导体工厂，计划投资400万亿韩元。