纳微半导体与格芯首批美国制造第五代GaNFast器件9月出货

9月1日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）确定其第五代GaNFast功率半导体首批美国制造产品于9月开始出货。相关器件由格芯（GlobalFoundries）位于佛蒙特州伯灵顿的工厂生产，采用200毫米氮化镓硅基（GaN-on-Si）制造平台，首批产品为650V GaN FET。

首发产品设置11mΩ、18mΩ、50mΩ、120mΩ和150mΩ五档导通电阻（RDS(on)）规格。按照双方公布的交付安排，首批晶圆于9月出货，10月进入内部样品阶段，面向部分战略客户的样品计划于2026年底前提供。

纳微半导体已针对格芯200毫米GaN-on-Si工艺调整Gen 5 GaNFast器件架构及制造流程。双方合作范围同时覆盖GaNFast FET和功率集成电路，相关产品面向AI数据中心、高性能计算、工业电气化及关键基础设施等高功率应用。GaNFast功率IC可集成功率开关、驱动、控制、传感和保护功能。

双方于2025年11月签署长期战略合作协议，当时确定在格芯伯灵顿工厂开发和制造下一代GaN器件，并安排2026年初启动开发、2026年内进入生产。此次9月首批晶圆出货使该合作由前期工艺开发进入实际产品交付阶段。

格芯伯灵顿基地承担高压GaN-on-Si制造环节，纳微半导体提供GaN器件、工艺设计套件及器件架构技术。双方此次公布的首批产品参数集中于650V GaN FET，尚未公布首批晶圆数量、客户订单规模以及Gen 5 GaNFast功率IC的具体出货时间。