日本住友化学量产4英寸磷化铟外延晶圆，预计销售额百亿日元

8月31日，住友化学宣布在茨城工厂（茨城县日立市）建立4英寸磷化铟（InP）外延片量产体制并开始销售。作为日本少数几家能够稳定量产InP外延片的专业厂商之一，住友化学将以此支持AI数据中心等下一代数字基础设施的发展。

InP外延片是实现高性能光半导体器件的核心材料，能够在电信号与光信号之间进行高效转换。随着生成式AI的普及以及IoT、云服务和通信网络基础设施的扩展，各领域对高速、大容量数据处理的需求持续增长。AI数据中心面临电力消耗和信息处理负荷两大全球性挑战，光电融合技术被视为关键解决方案，InP外延片在下一代数据中心和高速网络领域的应用正迅速扩大。

InP外延片制造需要在高温外延生长过程中精确控制材料组成和表面状态，涉及原料气体处理等复杂工艺管理。住友化学将其超过25年砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）外延片量产中积累的组成控制、薄膜积层和晶体生长工艺控制技术应用于InP外延片生产，实现了高品位与高生产率的兼顾。

住友化学目标到2030年代中期实现InP外延片产品线销售额达100亿日元规模。公司计划将InP外延片纳入现有化合物半导体材料产品线（包括GaN衬底、GaN外延片和GaAs外延片），进一步拓展无线通信、功率半导体和数据中心等增长市场。

在产业竞争层面，住友集团另一企业住友电工于2026年7月宣布投资180亿日元扩产InP基板，目标2028年将产能提升至2024年的3.1倍。与此同时，中国武汉天源环保以750万元收购中迅半导体60%股权，进入InP衬底市场，计划追加6700万元投资，行业产能竞赛正在升温。