近日，铠侠(Kioxia)和闪迪(Sandisk)宣布其位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造工厂—Fab2(K2)正式投入运营。

铠侠介绍称，Fab2能够生产第八代218层3D闪存，采用公司革命性的CBA(CMOS直接键合阵列)技术，并支持未来先进的3D闪存节点，以满足人工智能(AI)驱动的存储市场日益增长的需求。Fab2的产能将根据市场趋势逐步提升，预计将于2026年上半年实现量产。

此外，Fab2工厂采用减震建筑结构，并配备最先进的节能制造设备。该工厂利用人工智能提高生产效率，采用节省空间的设施设计，扩大了洁净室中制造设备的可用空间。根据2024年2月获批的计划，Fab2的部分投资将由日本政府补贴。

负责运营北上工厂的铠侠岩手株式会社总裁兼首席执行官柴山耕一郎表示：“我们很高兴在北上工厂启用新的Fab2工厂。Fab2生产的第八代及后续3D闪存产品将为快速崛起的人工智能市场创造新的价值。”

铠侠与闪迪已建立了超过20年的成功合作伙伴关系。2023年底，铠侠与闪迪联手推出全球首款332层BiCS 3D NAND，单层密度达到36.4Gb/mm2，接口速率突破4.8Gb/s，提升了每瓦特存储容量。该技术为后续1000层甚至更高层数的研发奠定了基础。

2025年2月，双方在德国杜塞尔多夫联合发布了新一代4.8Gb/s NAND接口技术，兼顾功耗与性能，面向企业级SSD与高性能计算市场。

2025年7月，铠侠与闪迪开始向合作伙伴提供BiCS9样品，该产品采用112层BiCS5与现代CBA结合的混合架构，并配备Toggle 6.0接口，实现更高的读写速度与成本效益。