在人工智能蓬勃发展的大背景下，NAND 闪存市场正经历命运逆转，生产结构性失衡引发人工智能与消费市场供应危机。内存行业周期性特征明显，如今再次站在关键节点。

几年前人工智能兴起，高带宽内存(HBM)与人工智能加速器成为训练模型首选，HBM 作为特殊 DRAM 利润远超 NAND 闪存。NAND 闪存价格下跌、利润缩水，三星和 SK 海力士等大型内存供应商扩大产能态度谨慎。技术上，NAND 闪存层数突破 200 层，先进产品需巨额投入，到 2023 年，NAND 产能不再是厂商战略重点，三星和 SK 海力士重心转向利润更高的 DRAM 核心 HBM 器件。据 Omdia 数据，三星 NAND 晶圆产量从 2024 年 490 万片下调至 2025 年 468 万片，SK 海力士从 2024 年约 190 万片下调至 2025 年 170 万片，且二者尚未宣布 NAND 闪存容量扩张计划。

不过，NAND 闪存在人工智能发展战略中作用关键。战略重心转向推理工作负载，对 NAND 闪存需求持续增长，固态硬盘(SSD)在人工智能数据中心推理工作负载广泛应用，推动需求激增。以与英伟达合作的铠侠为例，计划 2027 年推出速度提升近 100 倍的专为人工智能服务器打造的 SSD，预计到 2029 年近一半 NAND 闪存用于人工智能应用。铠侠存储事业部总经理中户俊介宣布 2026 年 NAND 闪存全部产能售罄，还将提前投产 BICS10 NAND 闪存。

不涉足 DRAM 业务的铠侠和闪迪也受 NAND 闪存供应挑战影响，但铠侠因人工智能推理工作负载需求强劲走出困境。闪迪同样因 NAND 闪存短缺和价格飙升发展势头良好。

人工智能正改写内存行业规则，存储领域结构性失衡可能持续到 2026 年甚至 2027 年，NAND 闪存制造商如何应对短缺问题，是 2026 年关注焦点。