三星与英伟达合作开发下一代NAND闪存：AI仿真模型提速万倍，存储芯片研发进入“加速模式”

3月13日，据业内消息，三星电子正在与英伟达合作，加速开发下一代NAND闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种名为“物理信息神经算子”的创新模型。该模型在分析铁电基NAND设备性能时的速度，比现有传统模型快逾万倍，相关研究成果已对外公布。

这一突破性的模型将物理规律与人工智能算法相结合，能够在极短时间内准确模拟和预测铁电材料的电学行为，从而大幅缩短新材料的研发周期。基于此项研究成果，三星正与英伟达展开深度合作，共同推进铁电NAND闪存的开发与商业化进程。

铁电NAND是一种利用铁电材料特性存储数据的下一代存储技术，与传统NAND闪存相比，其在写入速度、功耗和耐用性方面具有潜在优势，被视为未来高算力场景中极具前景的存储解决方案。然而，铁电材料的复杂物理特性使得其研发和优化过程极为耗时，传统仿真方法难以满足快速迭代的需求。此次三方联合开发的AI驱动仿真模型，正是为了攻克这一瓶颈。

英伟达作为全球AI算力龙头，其在这一合作中提供的GPU加速计算平台和AI技术栈，为模型的快速训练和运行提供了基础支撑。三星则发挥其在半导体制造和存储技术领域的深厚积累，将模型研究成果向实际产品转化。佐治亚理工学院在材料科学与计算物理领域的学术能力，为模型的底层原理提供了理论支持。

此次合作不仅是产学研协同创新的典型案例，也折射出AI正在从应用层向底层芯片研发渗透的趋势。随着AI模型本身参与新材料的发现与优化，半导体技术的迭代速度有望进一步加快。对于存储芯片行业而言，铁电NAND如果能够成功商业化，或将改写现有的存储技术格局，而三星与英伟达的此次联手，无疑将在这一进程中占据先机。