英伟达布局金刚石散热,破解 Vera Rubin GPU 高功耗困局
2026-02-25 14:43
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2月23日,Akash Systems 宣布,已向印度主权云服务商 NxtGen AI Pvt Ltd 交付全球首批搭载 Diamond Cooling® 技术的英伟达 GPU 服务器。该批服务器基于 NVIDIA H200 平台,成为全球首次将“金刚石导热技术”正式部署于商用 AI 服务器体系之中的案例。

这不仅意味着金刚石散热技术从实验室阶段迈向规模化商用,更标志着 AI 芯片热管理开始进入“材料级创新”时代。与此同时,NVIDIA 已明确在下一代 Vera Rubin 架构 GPU 中引入“钻石铜复合散热 + 45℃温水直液冷”方案。两项动作相互呼应,显示金刚石材料正在成为 AI 高功耗时代的重要底层变量。

一、材料升级:不是推翻系统,而是重塑传热路径

无论是 Akash 的 Diamond Cooling®,还是英伟达的钻石铜复合方案,本质都不是颠覆现有液冷架构,而是在现有体系内进行材料层面的效率升级。

当前主流冷板式液冷方案的核心问题在于“界面热阻”。GPU 芯片产生的热量,需要经过多层结构传递至冷却端口,但在这一过程中会出现能量损耗与局部“热点”。热点限制了芯片的最大功率输出,也成为制约算力释放的关键瓶颈。

业内普遍认为,缩短热路径、提高材料导热率,是解决问题的核心方向。而金刚石恰恰具备极端优异的导热性能。其热导率远高于传统铜、铝等材料,同时具备电绝缘、低介电常数与高热扩散系数等特性,非常契合高频 AI 芯片的运行需求。

Akash 的技术路线,是将人造金刚石与氮化镓(GaN)等材料结合,构建 GaN-on-Diamond 半导体基板,并将 GPU 芯片安装在自研金刚石 PCB 上。据披露,该方案可将 GPU 热点温度降低 10-20℃,风扇转速降低约 50%,超频能力提升约 25%,同时实现显著的温度与能耗下降。

英伟达则选择钻石铜复合材料,将金刚石嵌入铜结构中,热导率可达约 950W/(m·K),同时可通过调节热膨胀系数匹配半导体材料,降低热应力风险。配合 45℃温水直液冷体系,实现“局部极致散热 + 全局稳定控温”的双层优化。实验数据显示,该方案有望在性能与能效比方面实现倍数级提升。

二、效率重构:算力资本模型的底层变量

金刚石散热的价值,并不仅体现在温度数字的下降,而在于对算力资本效率模型的重塑。

以部署 1 万张 H200 GPU 的数据中心为例,如果在 50℃高环境温度下仍可保持满负载运行,并实现约 15% 的 FLOPs/W 提升,这种效率增益将直接影响:

• 单位电力算力密度

• 数据中心 PUE 表现

• CAPEX 投入回报周期

• 长期 TCO(总拥有成本)模型

在当前电力资源紧张、建设周期受限的 AI 基础设施环境下,哪怕是 10%-15% 的能效提升,都可能转化为数亿美元级别的资本效率改善。这不是简单的工程优化,而是结构性收益。

三、场景扩张:高温区域的算力解放

传统数据中心通常需要维持 24-29℃的机房环境,空调成本高昂,也限制了在高温国家和地区的部署规模。

Akash 此次选择印度作为首发市场,并非偶然。印度常年高温、电价高、AI 需求快速增长,若服务器可在 50℃环境下稳定运行,意味着:

• 机房空调负荷显著下降

• 运维成本降低

• 高温国家算力部署门槛下降

• 边缘高温区域算力网络得以铺开

金刚石散热的意义,由此从“性能增强”延伸为“地理重构”。

此外,在卫星通信与高频功率器件领域,GaN-on-Diamond 技术还可提升数据速率 5-10 倍,并缩小系统体积 50%,为航天与新能源等场景提供支撑。这使其不仅是 AI 产业变量,也可能成为下一代高功率电子系统的重要底层材料。

四、产业趋势:散热竞争进入材料物理层

过去几年,AI 热管理的竞争主要集中在工程设计与液冷架构层面。而英伟达与 Akash 的动作表明,竞争正下沉至材料科学层面。

未来 GPU 热管理大概率形成三层结构:

芯片级材料导热效率

板级与机柜级冷却架构

机房级能效系统设计

液冷与材料增强将呈现叠加效应,而非替代关系。

据行业测算,钻石散热市场规模有望在 2025-2030 年间实现爆发式增长,渗透率从极低水平快速提升,行业正处于“从 0 到 1”的关键窗口期。

五、中国优势:产业链基础决定话语权

中国在培育钻石领域具备显著优势:

• 全球约 75% 的培育钻石毛坯来自中国

• 半导体级高纯度培育钻石超过 70% 产自中国

• 人造金刚石总体产量占全球 90% 以上

在规模化生产、成本控制与完整产业链方面,中国优势明显。美日等国家虽在部分高端材料技术上领先,但产能有限、成本较高,重建完整产业体系需要长期投入。

目前,金刚石热沉片已在射频功率放大器与激光二极管领域实现商业化。国内企业近期已研制出最大 8 英寸热沉片,并具备量产条件,产业化基础逐步夯实。

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