意法半导体近日推出了MasterGaN6器件，这是其MasterGaN半桥系列功率集成电路的第二代产品。这款新的系统级封装集成了一个更新的BCD栅极驱动器和一个高性能GaN功率晶体管，其导通电阻为140mΩ。

MasterGaN6 GaN功率集成电路在早期产品的基础上，通过增加用于故障报告和待机控制的专用引脚来扩展功能。这些新增功能支持系统监控和能源管理优化，同时器件还集成了低压差稳压器和自举二极管，以维持栅极驱动的正常运行并减少外部元件需求。

该驱动器的快速开关设计，通过降低最小导通时间和传播延迟，支持高频运行，有助于工程师缩小电路整体尺寸。超快速唤醒能力还提升了突发模式性能，提高了轻负载条件下的效率。

MasterGaN6 GaN功率集成电路包含全面的内置保护功能，如交叉传导防止、热关断和欠压锁定。这些保护功能使设计人员能够实现更低的材料成本、更小的PCB占用面积和更简洁的布局。

MasterGaN6支持高达10A的电流，适用于消费类和工业系统，包括电池充电器、电源适配器、照明电源以及直流到交流太阳能微型逆变器。半桥架构可应用于多种功率拓扑结构，包括有源钳位反激式、谐振LLC转换器、反降压配置和功率因数校正级。

为支持评估和设计，意法半导体提供了EVLMG6评估板，并将MasterGaN6器件模型添加到eDesignSuite PCB热仿真器中，以协助热分析和设计验证。

这些器件目前正在生产中，采用9mm × 9mm QFN封装。