维基网讯，台积电资深副总经理、副共同营运长侯永清在2026年北美技术论坛表示，公司正以历史性的“二倍速”模式扩张产能，2026年创纪录地将有五座2nm(N2)工艺晶圆厂同时进行量产爬坡。这一史无前例的扩产行动，旨在满足来自AI和高性能计算领域因架构升级对下一代尖端制程呈指数级增长的订单需求。

侯永清副共同营运长指出，2022年至2026年间，用于AI加速器的晶圆出货量已大幅增长11倍，其中大尺寸晶粒的需求也同步提升了6倍，这清晰反映出AI运算架构正朝着高整合与高性能的方向迅速演进。他表示，过去台积电的重大制程演进通常一年仅有一座或两座晶圆厂进行量产爬坡，像今年由五座厂共同推进N2制程的模式前所未见，凸显AI需求的急迫性已迫使供应链进入超高速扩张阶段。这一扩张态势在资本投入上体现得尤为显著，台积电2025年的资本支出为409亿美元，而2026年这一预算已飙升至520亿至560亿美元的历史新高，其中绝大部分将精确投入于先进制程技术的产能建设和研发。

这五座进入量产爬坡的晶圆厂，具体包括位于新竹科学园区的Fab 20第一阶段与第二阶段厂区，以及位于高雄科学园区的Fab 22第一阶段至第三阶段厂区。据悉，新竹宝山的Fab 20是该制程的核心研发与初期量产基地，早在2025年下半年便已启动风险性试产，目前第一、二期厂区正全力投入2nm生产;而高雄的Fab 22则是主力扩张的制造重镇，其第一、二期厂区负责2nm生产，第三期厂区甚至已超前规划，将用于制造下一代更为先进的A16制程芯片。根据规划，到2026年底，仅Fab 20的第一、二期厂区的合计月产能就将达到3万至3.5万片晶圆;行业数据显示，台积电整体2nm月产能到2026年底有望从年初的3.5万片大幅提升至14万片，远超市场此前普遍预期的10万片水平。

台积电持续在先进制程晶体管技术上进行架构革新，此次大规模投产的N2技术是其在功耗控制和性能密度上的又一关键节点。N2制程采用的是新一代环绕式栅极(GAA)晶体管架构，相比前代鳍式场效应晶体管(FinFET)架构，能够更精确地控制电子的传输，大幅改善漏电问题。技术蓝图显示，台积电还将在N2基础上推出增强版的N2P制程，具备更佳的效能及功耗优势，并同步推出采用背面供电技术超级电轨(SPR)的A16制程，两者均计划在2026年下半年量产出货，以满足对复杂信号布线及密集供电网络有极致要求的高效能运算产品。在这些先进工艺节点上的高额资本投入和密集技术迭代，不仅大幅拉高技术门槛，也深刻重塑了全球半导体订单格局：根据分析师预估，2026年台积电将在全球2nm晶圆市场中占据约95%的份额。

在市场应用与客户需求端，AI服务器和数据中心对更高性能、更低功耗芯片的渴求是台积电本次加速扩产的根本驱动力，台积电2纳米制程的产能已被预订一空。根据公开资料和多个行业信源交叉验证，今年2nm制程的主要客户涵盖英伟达、苹果、AMD和高通等全球顶级芯片设计公司，以及微软、亚马逊、谷歌等大型云端服务供应商，这些行业巨头正激烈争夺任何可用的产能。其中，苹果的下一代旗舰级应用处理器预计将率先全面导入2nm工艺，并初期有望占据新产能中最大的单一客户份额。展望2027至2028年，随着通用型GPU和各大云厂自研AI ASIC的全面放量，市场对2nm及后续A16工艺的需求会进一步加速增长，该公司预计2nm和A16的产能将从2026年到2028年实现约70%的年化复合增长率。

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