维度网讯，博世推出第三代碳化硅半导体芯片，为印度电动汽车市场提供更高性能和效率的解决方案。随着印度电动出行从早期采用阶段转向规模化与可负担性需求，博世集团旗下博世有限公司（Bosch Limited）宣布推出最新第三代碳化硅（SiC）半导体产品。该系列芯片旨在提升电动汽车性能与效率，并支持构建本地化出行生态系统。

碳化硅（SiC）半导体是提升电动汽车效率的关键部件，主要控制电力电子系统（尤其是逆变器）中的能量流动，确保电池至电机的能量转换效率。博世新一代SiC芯片可提供约20%的性能提升，使终端用户无需增大电池即可获得更长续航里程，同时提高电池利用率并降低总拥有成本。

博世有限公司（Bosch Limited）联合董事总经理兼博世印度出行总裁Sandeep Nelamangala表示，该SiC技术旨在满足印度消费者对更长续航、更快充电及更低长期成本的实际需求，通过使高效电力电子产品更易获取，助力释放电动汽车市场潜力。博世已在全球交付超过6000万颗SiC芯片，并持续投资数十亿欧元扩大全球半导体能力，以支持印度电气化进程。

博世董事会成员兼博世出行业务部门主席Markus Heyn表示，公司目标成为全球领先的SiC芯片制造商，新一代SiC芯片正帮助客户将更强大、更高效的电动汽车推向市场。Gen 3 SiC技术通过降低能量损耗、改善热性能、简化系统复杂性和冷却需求，实现更紧凑、更高效的电力电子设计。微型化有助于每片晶圆生产更多芯片，从而推动长期成本效益并使高性能电子产品更广泛普及。

这些综合优势使先进电力电子产品不仅适用于高端车型，也适用于注重效率、可负担性和可靠性的大众市场电动汽车细分领域。博世通过此次战略引入，将先进半导体创新更贴近印度不断演变的出行需求，支持该国高效、可扩展、可持续电动出行的下一阶段发展。

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