维度网讯，美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）发布了两份针对碳化硅（SiC）功率半导体的新指南，分别编号JEP203与JEP204，旨在规范该类器件的评估、认证与可靠性测试流程。这两份文件由协会旗下的JC-70.2碳化硅分委会（JC-70.2 Silicon Carbide Subcommittee）起草，现已在JEDEC官网开放免费下载。

随着SiC器件在电动汽车、工业电机驱动、可再生能源系统及电力基础设施等电力电子场景中的渗透率持续提升，其面临的可靠性挑战也日益突出，新指南正是针对这些痛点设计。

其中JEP203全称为《功率转换晶体管短路评估指南》（Guideline for Short Circuit Evaluation in Power Conversion Transistors），专门为功率MOSFET的短路能力测试提供建议。该文件致力于帮助工程师统一测试方法、优化保护电路设计，并加强系统在故障状态下的鲁棒性。鉴于SiC器件正朝着更高功率密度与更快开关速度演进，准确掌握其短路特性已成为保障安全可靠运行的核心前提。

另一份出版物JEP204题为《电力电子转换用碳化硅器件应力程序目录》（Catalog of Stress Procedures for Silicon Carbide Devices for Power Electronic Conversion），作为一套涵盖可靠性、环境耐受与鲁棒性测试的综合性参考资料。它给出了评估长期器件性能与可靠性的通用框架，便于制造商、认证工程师及系统设计者采用趋于一致的评估手段。

这两份指南旨在推动行业在测试与认证方法上达成更高程度的一致性，从而增强各方对部署下一代SiC功率系统的信心。标准化后的评估程序能够使得行业内性能评估结果更具可比性与可重复性，进而加速技术的推广应用。

上述文件由专注于宽禁带半导体标准化的JC-70委员会（JC-70 committee）牵头制定。该委员会于2017年成立，初始成员为23家企业，如今已扩展至全球超过70家参与组织，成员涵盖半导体制造商、系统开发商、测试设备供应商、研究机构以及深耕氮化镓（GaN）和碳化硅技术的学术团体。

委员会的持续扩容折射出业界对建立宽禁带功率半导体可靠性、测试方法及电气特性通用标准的迫切需求。JC-70委员会计划于2026年7月15日举行下一次会议，继续为先进功率半导体技术的广泛普及提供标准化支撑。

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