维度网讯，RootSemicon于6月11日宣布牵头一项国产3300伏碳化硅（SiC）功率模块开发项目。该项目由韩国产业通商资源部主导，韩国产业技术评价院（KEIT）负责运行管理，总预算约77亿韩元，周期为四年。

RootSemicon将开发面向输配电系统的SiC功率半导体模块。在该合作框架下，RootSemicon负责制造SiC器件，SemiPowerEx负责将其封装为模块，Intec Electric & Electronic作为需求方采购成品，器件所需的外延片由Arke供应。与传统的硅（Si）器件相比，SiC半导体在高压环境下运行更稳定，此次开发的器件目标应用于3300V场景，潜在领域包括电网、高速电动汽车充电站、铁路以及半导体固态断路器（SSCB）。

据业内人士介绍，目前韩国国内技术可支持的SiC器件工作电压为1700V，超过这一电压等级的产品主要依赖英飞凌科技（Infineon Technologies）和三菱电机（Mitsubishi Electric）等海外供应商。RootSemicon表示，公司已掌握1200V级SiC MOSFET器件的量产设计与封装能力，良率达到90%。副总裁Jung Eun-sik称，公司将以SiC功率半导体设计与高良率测试方面的积累支持该项目的推进。

此外，RootSemicon近期还获选为另一项政府资助项目的牵头单位，该项目预算81.5亿韩元，聚焦于水电解系统电源模块的开发。

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