维度网讯，SK海力士（SK Hynix）调整了下一代3D-NAND闪存的产品方案，其V10代产品将采用375层堆叠技术，并在工艺中引入钼（Molybdenum）材料替代部分钨薄膜，以应对高层数带来的电气连接挑战。

该公司的V9代产品已达到321层，是目前NAND闪存量产中的最高堆叠层数。从V9到V10的层数提升幅度为54层，相对保守。据韩国媒体The Elec援引行业消息源报道，SK海力士此前也曾将400层作为V10的目标，但因“制造困难”而降低了目标。相比之下，竞争对手三星（Samsung）的第十代产品V10则从286层（V9）大幅跃升至4xx层，推测约为430层。

随着存储单元堆叠层数增加，电气连接的复杂度相应提升。SK海力士在375层结构中采用钼替换字线（word line）中的部分钨薄膜。导线的宽度持续缩小，钨的电阻随之升高，影响信号传输；而钼的电阻更低，有利于提升读写速度。此外，钼在沉积时无需像钨那样额外增加阻挡层（barrier layer），可直接成膜，有助于实现更高密度的结构。不过，报道指出，新工艺在技术实现上要求较高。

根据SK海力士的路线图，行业消息源称，后续几代产品（推测为V11和V12）的堆叠层数将进一步增加，分别达到480层和608层。在三星方面，近期已在初步试验中成功实现900层堆叠，但该成果距离量产仍有较大差距。

在量产时间表上，市场研究机构TrendForce汇总的信息显示，SK海力士的375层NAND预计在2026年底进入量产；三星的4xx层NAND计划在2026年下半年；铠侠（Kioxia）的BiCS10（332层）量产时间则可能落在2026财年内或2027年初。尽管层数相对较少，但铠侠在ISSCC上与合作伙伴闪迪（Sandisk）共同展示的BiCS10曾达到当时最高的存储密度，近5 GB/mm²。

在主要竞争对手相继推进第十代产品之际，美光（Micron）则保持沉默。美光在G9（276层）之后计划推出G10，但公开信息极少。据EE World的一篇文章报道，G10预计将采用“受限存储节点（Confined SN）”技术以减少单元间干扰，从而提升存储单元寿命，并将写入时间减少约10%。

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