维度网讯，美国安森美半导体(onsemi)正式推出GaNEXUS™氮化镓(GaN)功率产品组合，该产品组合首批包含40V至650V电压范围的GaNEXUS FET样品，以及集成保护特性的650V GaNEXUS Smart GaN FET。该产品组合主要面向AI数据中心、工业自动化、机器人和能源基础设施等应用领域，旨在提升效率、功率密度和热性能。

安森美GaN部门副总裁Antoine Jalabert表示，GaNEXUS产品组合正在为电源系统设计开辟新架构，随着客户要求在更小空间内实现更大功率，GaNEXUS为工程师提供了更大的灵活性，以克服限制传统电源架构的约束。当与安森美用于集成传感、控制、保护和电源管理的Treo平台结合时，GaNEXUS可实现更智能、更可靠、更稳健的系统级电源解决方案。安森美的硅(Si)、EliteSiC和GaNEXUS技术共同为客户提供了灵活性，以优化整个电力传输链的效率、热性能、系统尺寸和总成本。

随着AI基础设施、电气化、工业自动化和能源系统对更高效、更紧凑电源架构需求的增长，设计师面临能耗、热管理和系统尺寸的严峻挑战。预计到2030年，仅AI数据中心就将消耗美国发电量的9%，而电力和冷却成本占数据中心总运营支出的比例高达40%。GaNEXUS可通过比传统硅基解决方案更快的开关速度和更低的开关损耗来应对这些挑战，帮助客户缩小磁性元件和冷却系统的尺寸，同时提高整体系统效率和响应速度。其中，GaNEXUS Smart可降低系统风险并简化功率级设计，从而加快认证并提高信心。

GaNEXUS解决方案在低电压和中电压系统中，如AI服务器48V中间总线变换器(IBC)和电池备份单元(BBU)以及电机驱动器，可实现约30%至60%更小的磁性元件、约1.5倍至2倍更高的功率密度、约0.5%至2%的效率提升（取决于拓扑结构），并降低开关损耗、改善热性能和控制稳定性。在更高电压应用中，如AI电源架、高压直流-直流转换、功率因数校正(PFC)和LLC功率级，可实现高频交流-直流和谐振级中磁性元件尺寸减小高达约60%，功率密度提高约1.5倍至2倍，效率提升约0.5%至1%。

GaNEXUS器件采用增强型散热封装，具有行业标准占位以实现双源供货，封装形式包括TOLL底部冷却、TOLT顶部冷却以及双面冷却3.3mm x 3.3mm和5mm x 6mm封装。

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