维度网讯，英飞凌科技（Infineon Technologies）在德国慕尼黑第一地方法院赢得两项针对英诺赛科（Innoscience）的专利侵权裁决，法院禁止英诺赛科在德国制造、销售和营销相关侵权产品。

其中一项裁决涉及专利侵权，另一项涉及实用新型。法院还责令英诺赛科就侵权行为赔偿英飞凌损失。这些裁决是英飞凌在氮化镓（GaN）功率半导体领域知识产权布局的进一步巩固。

这些裁决是英诺赛科在相关法律程序中面临的第三和第四项不利判决。英飞凌指出，德国和美国的法院及监管机构已多次认定英诺赛科产品侵犯其专利。此前，德国法院于2025年8月1日裁决英诺赛科侵权；美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会于2025年5月7日裁定英诺赛科侵犯英飞凌一项GaN专利。涉及英飞凌其他技术的专利侵权诉讼在德国和美国仍在进行中。

GaN技术因能提升效率、降低开关损耗并实现系统小型化，在电力电子领域日益受到重视。该技术已应用于可再生能源系统、电动汽车动力总成、工业自动化设备及数据中心电源等领域。

英飞凌在该领域持续投入，其GaN专利组合包含约450个专利族，覆盖器件结构、制造工艺和系统级创新。公司通过技术研发与知识产权布局，旨在提升其在节能电力电子领域的市场地位，并服务于脱碳与数字化转型等长期趋势。

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