近日，IBM与东京电子(TEL)宣布延长双方联合研发先进半导体技术的协议，新的五年合作计划将聚焦于下一代半导体节点与架构技术的持续推进，旨在为生成式人工智能时代注入强劲动力。

此次协议的签署建立在两家公司二十余年联合研发伙伴关系的基础上。过去，IBM与TEL在半导体领域取得多项突破性成果，包括开发出一种用于生产300毫米硅片晶圆的新型激光剥离工艺，该工艺为3D芯片堆叠技术的发展奠定了坚实基础。

在新的合作框架下，双方将整合IBM在半导体工艺集成方面的专业优势与TEL的尖端设备技术，共同探索更小节点和小芯片架构的技术路径，以满足未来生成式人工智能对性能和能源效率的更高要求。IBM半导体总经理兼混合云副总裁Mukesh Khare表示：“IBM与TEL过去20年的合作推动了半导体技术的持续创新，为行业带来了多代芯片性能和能效的提升。我们期待通过此次合作，加速芯片创新步伐，共同迎接生成式人工智能时代的到来。”

东京电子有限公司代表董事、总裁兼首席执行官Toshiki Kawai也表示：“IBM与TEL通过多年的联合开发建立了深厚的信任和创新关系。我们很高兴能在未来五年继续深化合作，共同推进半导体技术的进步。”