受益于HBM的快速增长，SK海力士在DRAM市场首次超越三星电子。

市场研究机构Counterpoint Research最新数据显示，SK海力士在全球DRAM市场的收入占比达到了36%，超越三星电子的34%，跃居行业首位。

HBM市场表现强劲

分析人士指出，这一转变主要归因于SK海力士在HBM市场的强势表现。目前SK海力士在HBM领域的市场占有率超过70%，带动其整体营收快速增长。

美国存储巨头美光(Micron)以25%的市场份额位居第三。虽然美光正在快速扩展其在HBM市场的影响力，但在整体DRAM市场上仍落后于两大领先企业。

“这是SK海力士的重要里程碑，其成功地向对HBM内存需求持续增长的市场交付了高质量的DRAM。”资深分析师崔正九(Jeongku Choi)表示，“HBM DRAM芯片制造极具挑战性，那些早早掌握这项技术的企业如今正享受成果。”

而今年HBM市场涨势惊人。据预测，2025年全球HBM市场规模将同比增长175.5%，达到476亿美元，并预计到2026年将增长至655亿美元，2038年至2039年有望突破1000亿美元大关。

而且，HBM在整个DRAM市场的占比预计今年将上升至35.6%，远超之前的市场预测。如果SK海力士能延续之前的“势能”，或将持续独占鳌头。

近两年产能接近售罄

从2025年下半年起，新一代HBM4(第六代)12层产品将进入量产，新一轮竞争也将围绕HBM4展开。SK海力士正加速巩固其在HBM市场的领导地位。在成功量产HBM4 12层堆叠产品的同时，公司还承诺将按时交付下一代——HBM4E。

SK海力士高层前不久表示：“今年我们不仅将推进第六代HBM——HBM4 12层的量产，还将按计划供应第七代HBM4E，进一步巩固HBM领域的领导地位。”他还强调：“在推进新HBM产品开发的同时，我们将通过定制化HBM，提供符合客户特殊需求的最佳解决方案。”

上个月，SK海力士比原计划提前数月，率先向主要客户交付了全球首款HBM4 12层样品。SK海力士计划在今年下半年开始量产该产品，并将加快HBM4E的研发进程。

据预测，2025年SK海力士HBM在整体DRAM销售中的占比将超过50%。2024年第四季度，该比例已超过40%。

目前，SK海力士已完成2025年全部HBM产能的销售(“售罄”)，预计随着AI需求的持续扩大，2026年产能也将在今年上半年内售罄。2026年交付的产品中，预计将包括第五代HBM——HBM3E 12层堆叠产品，以及第六代HBM4 12层产品。

三星电子虽然在HBM3E的市场竞争中稍显落后，但计划按照原定计划在2025年下半年量产HBM4。三星正在研发基于10nm级第六代(1c)DRAM的HBM4，希望借此实现市场反超。有分析称，尽管三星在下一代DRAM技术开发上相对落后，但在产能方面却远超SK海力士。根据市场研究机构TrendForce的数据，以晶圆投片量计算，三星的DRAM产能至少比SK海力士高出1.5倍。在SK海力士的DRAM产能受限的情况下，市场分析普遍认为1c DRAM业务可能会有利于三星电子。美光则计划在2026年开始HBM4 12层的量产。