维度网讯，SK海力士本周宣布，将向其清州园区追加投资100万亿韩元（约合640亿美元），用于扩大3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）封装产能。该公司计划于明年启动M17晶圆厂建设，最早投产时间预计在2029年左右。其中，M17晶圆厂将耗资约80万亿韩元（518亿美元），新的P&T7封装和测试设施则将投入20万亿韩元（129.45亿美元）。
SK海力士清州园区目前拥有M11、M12和M15等主要生产3D NAND闪存的晶圆厂。由于多层3D NAND与HBM堆叠采用相似的封装技术，该园区正逐步转型为同时生产HBM堆叠的基地：M15X负责生产DRAM晶粒，P&T3则承担封装操作。不过，与SK海力士在其他项目的投资规模相比，清州NAND和HBM组装业务的投资并不突出。
在龙仁半导体集群，SK海力士计划投入约3893亿美元，这是该公司有史以来规模最大的投资承诺，将使该园区成为其最大的DRAM生产基地。龙仁第一座晶圆厂预计于2027年5月投入运营，其余晶圆厂将依次建成。一座DRAM晶圆厂从开工到完全投产大约需要一年到一年半，预计该设施将在2028-2029年对内存市场产生影响。根据最新计划，所有四座晶圆厂的建设目标已调整为在2033年前完成第四座，而非此前的2045年时间表。该投资将持续到2033年以后。
西南半导体集群目前尚处于规划阶段，SK海力士甚至尚未在韩国西南部选定具体地点。该公司表示，将与中央和地方政府协商，评估土地、电力、水、交通和基础设施条件后确定位置。该集群被设想为继利川、清州和龙仁之后的下一主要制造基地，计划投资总额约为2595亿美元。考虑到项目周期长达数十年，该数字可能根据市场状况和设备成本浮动。投资将分多年进行，涵盖土地收购、晶圆厂建设和生产工具。据SK海力士称，龙仁集群的开发花了大约九年时间。
SK海力士并非唯一在韩国扩大投资的企业。三星电子（Samsung Electronics）周四宣布，计划在韩国忠清地区业务上投入约140万亿韩元（909.8亿美元）。根据该计划，三星显示器（Samsung Display）将在牙山扩大OLED生产；三星电子（Samsung Electronics）将在温阳建设5条HBM生产线，并在天安升级HBM相关设施；三星SDI（Samsung SDI）将在天安建设一条电池生产线用于验证下一代技术，随后全球部署；三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在世宗扩大AI服务器封装基板制造。
