中国DDR5 DRAM模块速度达8000MT/s 量产加速
2026-07-07 15:33
收藏

维度网讯,进入下半年,多家机构预测存储器平均售价仍有上行空间,同时市场普遍预期2027年可能出现行业性供给短缺。

DRAM市场的上行趋势依然稳固。截至2026年7月初,16Gb DDR5报价已达到约47美元,创下历史新高。美国银行(BofA)在报告中分析称,AI算力需求的扩张与产能持续向HBM转移是造成这一局面的双重因素。与此同时,主流厂商在削减DDR4产能的同时,配合下游客户的补库动作,使得DDR4价格同步攀升至本轮周期的高点。

NAND闪存领域也维持着强劲的上升势头。512Gb NAND晶圆的合约价目前已升至约25美元,远超现货市场价格。从2025年2月约2.5美元的周期低点算起,累计涨幅已接近10倍。

针对未来走势,调研机构TrendForce小幅下调了对2026年第二季度NAND平均售价(ASP)增幅的预测,调整至55%至60%;但同期也上调了对第四季度的预期,看至10%至15%。BofA的预测模型与之相仿但更为保守,估计2026年第二季度NAND ASP增幅约为65%,第三季度约为13%,第四季度约为1%。

从需求端观察,美国四大科技巨头——Amazon、微软、谷歌与Meta——预计在2026年的资本开支合计将同比增长约80%,总额达到约7000亿美元。这一趋势将持续强化数据中心对存储产品的长期需求。BofA对未来三至五年的数据增幅抱有较强信心,认为在云数据上传、AI训练与推理应用的普及,以及“物理AI”等新兴领域的多重驱动下,全球以Exabyte计的数据量有望以超过25%的年增速增长。这意味着存储需求将不仅局限于AI训练环节,还将扩散至推理与边缘计算场景,形成更加可持续且广泛的需求基础。

BofA报告还特别提及SanDisk在企业级SSD业务上取得了爆发式增长,相关收入同比增幅高达7倍。SanDisk目前正在推进一种“高带宽闪存”技术,其目标是以远低于DRAM的成本实现接近DRAM的性能。该产品预计在2026年末至2027年间逐步推向市场,有望成为企业存储领域的一个重要变量。

总体来看,BofA的核心判断是,本轮存储周期尚未见顶,在AI与数据中心需求的推动下,行业正进入结构性上行通道,真正的供需拐点可能出现在更远的未来。

值得留意的是,中国存储厂商正在加快DDR5 DRAM技术的研发步伐,以应对来自AI、企业计算和消费电子领域的快速增长的需求。其技术水平正在逼近三星电子、SK海力士和美光这三家全球存储巨头。据印科技报道,中国最大的DRAM厂商CXMT正在加速DDR5技术路线的推进,并已开始研发和量产更高规格的DDR5 DRAM模块。其最新的DRAM模块已实现8000MT/s的传输速度,覆盖16Gb和24Gb颗粒。同时,32Gb DRAM也已进入消费级市场,成为中国国内存储产业升级的重要驱动力。

本文来自全球互联网及战略合作伙伴信息的编译与转载,仅为读者提供交流,有侵权或其它问题请及时告之,本站将予以修改或删除,未经正式授权严禁转载本文。邮箱:news@wedoany.com