维度网讯，英特尔代工（Intel Foundry）已开始利用ASML的高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术批量生产部分Panther Lake处理器，即英特尔酷睿Ultra 3系列产品。这是业内首次将High NA EUV技术用于高产量逻辑芯片的商业出货。上述生产针对英特尔18A（Intel 18A）制程的特定层，采用了ASML的EXE High NA EUV平台。英特尔称，目前这些工艺层已在High NA EUV和常规NXE EUV两种平台上均获得双重认证，产品已向客户交付，且良率与使用NXE平台时基本一致。

这是ASML High NA EUV光刻技术首次迈出研发和试生产阶段，进入量产环境。根据英特尔与ASML的说法，初期应用仅集中在18A工艺的特定层上，这一做法有助于双方收集关于系统运行时间、工艺控制及生产执行的实际数据，同时保持整体制造弹性。通过在同一个工艺层上同时对NXE和EXE两种平台进行认证，英特尔既能提升产量，也为未来节点的技术选择预留了空间。

英特尔于2024年在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒（Hillsboro）的研发基地安装了全球首台商用High NA EUV设备，并随后成为首家接收ASML第二代TWINSCAN EXE:5200B平台的客户。相比初代EXE:5000，EXE:5200B在吞吐量、套刻精度和光源性能方面均有提升。ASML将High NA EUV定位为半导体光刻领域下一步关键技术方向，它有望支撑未来人工智能处理器及其他先进芯片所需的更精细图形刻画。

目前，英特尔代工已使用ASML High NA EUV设备对其选定Panther Lake处理器进行高产量制造，该过程基于英特尔18A工艺的特定层。英特尔方面报告，其良率表现与采用常规NXE EUV工具的生产水平相当，且18A工艺层已同步获得High NA EXE和NXE两种平台的双重认证。英特尔确认，采用High NA EUV制造的产品正在向客户发货，这一部署使用的是ASML的EXE High NA EUV平台。此前，英特尔安装了业界首台商用EXE:5000设备，并随后为首台EXE:5200B生产系统提供了落户条件。EXE:5200B在吞吐量、套刻精度和光源性能上均有改进。英特尔与ASML表示，将持续评估在未来工艺节点中更大范围使用High NA EUV的可能性。

英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示，通过对选定英特尔18A产品层认证High NA EUV工艺选项，公司现有工具集群可为客户提供更高产量，同时也在为即将推出的节点开发下一代性能、密度和制造灵活性方面的前沿选项。

上述公告意味着High NA EUV已从开发阶段迈入商业半导体制造环节。尽管英特尔目前仅将该技术应用于特定工艺层而非整颗芯片，但生产认证的取得为High NA EUV在制造环节的可行性提供了重要验证，也为今后在更先进节点上更大规模部署积累了实际运营数据。这一进展同时强化了英特尔代工作为下一代光刻技术领先制造合作伙伴的定位。与英特尔不同，其他主要代工厂如台积电（TSMC）和三星（Samsung）仍在评估未来节点中High NA EUV的适用性。整个行业的更大范围采纳，将取决于设备制造的经济性、吞吐能力的进一步提升，以及客户对未来AI与高性能计算芯片的需求走向。