维度网讯，印度班加罗尔氮化镓半导体产品企业Agnit Semiconductors于2026年7月23日宣布，公司正筹备新一轮融资，并计划在印度政府新推出的“Semicon 2.0”半导体计划框架下，评估建设氮化镓芯片制造工厂的可行性。该公司首席执行官Hareesh Chandrasekar表示，公司正寻求与大型企业合作或独立筹集足够资本，待Semicon 2.0指导方针正式公布后提交建厂提案。

Agnit Semiconductors是一家成立于2019年(成立约7年)的半导体初创企业，孵化自印度科学研究院。公司业务覆盖氮化镓材料、芯片及电子元件的设计与制造全价值链，产品主要面向射频应用领域。目前，该公司正与国防机构等客户开展五项试点项目，涵盖雷达、干扰机及无线电系统等应用，其中两款产品已进入制造和现场测试阶段。公司已启动氮化镓晶圆向国际代工合作伙伴的试点出口，据称这是印度私营企业的首次此类出口。

据公司披露，Agnit Semiconductors迄今已累计融资约747万美元，投资方包括3one4 Capital、Zephyr Peacock及Shastra VC等机构。公司计划在未来两年内将氮化镓组件产能扩展至约10万件，并从试点部署向商业化生产过渡。Chandrasekar表示，公司正与客户进行试点并获得积极反馈，一旦获得批量订单，将触发产品组合的扩展，下一轮融资规模将“明显大于”此前各轮。

此次建厂计划是Agnit Semiconductors对印度政府“Semicon 2.0”计划的回应。该计划于2026年7月获得批准，重点支持先进材料、供应链韧性及人才培养。Chandrasekar表示，新计划对材料和供应链的强调与公司的长期制造目标高度契合。公司正在评估两种方案：一是作为大型代工厂的技术提供方参与，二是独立建厂。

氮化镓是一种宽禁带半导体材料，相较于传统硅基半导体，具备更高功率处理能力和能效，在雷达系统、干扰机、无线通信设备等高性能电子领域具有广阔应用前景。据行业研究机构预测，全球氮化镓市场需求到2035年预计将达到513.5亿美元。