SK海力士考虑在日本宫城县建存储芯片厂

维度网讯，8月21日，SK海力士正考虑在日本宫城县建设存储芯片制造工厂，潜在投资规模可能达到数十万亿韩元。SK海力士将具备电力、用水、土地、人才及产业配套条件的地区纳入新增产能候选范围，宫城县成为其考察日本生产布局的重要方向。

SK海力士对日本生产基地的研究已有前期铺垫。2026年2月，日本媒体曾报道该公司向部分地方政府了解存储芯片工厂建设条件，候选地区涉及宫城县和千叶县。6月，SK集团董事长崔泰源在接受日本经济新闻采访时表示，随着存储芯片需求增长，公司正在研究韩国以外的新增产能布局，日本拥有半导体制造设备、材料和电力等完整产业条件，是具有竞争力的工厂候选地。

宫城县已形成以半导体设备、电子元件和科研机构为核心的产业基础。东京电子在当地设有等离子刻蚀设备研发和制造基地，并投资约1040亿日元建设一座建筑面积约8.86万平方米的新生产楼，主要生产刻蚀系统等半导体制造设备，计划于2027年夏季完工。仙台市也正依托东北大学的半导体科研和人才资源，推进相关企业引进、产学研合作及产业人才培养。

日本现有半导体制造布局主要分布在北海道、九州和广岛。Rapidus已在北海道千岁市运行2纳米制程试验线，并以2027年量产为目标；台积电熊本生产基地规划两座晶圆厂，合计月产能超过10万片12英寸晶圆，总投资超过200亿美元；美光科技则在广岛生产DRAM，并计划投入最高5000亿日元导入先进制程。宫城县的设备制造和科研基础，使其能够与上述生产基地共同构成日本半导体产业网络。

SK海力士当前正在韩国同步扩大DRAM和NAND产能。公司8月7日批准在龙仁Y2工厂投资35.2万亿韩元，并在清州M17工厂投资19.1万亿韩元，合计约54.3万亿韩元。Y2定位于HBM等下一代DRAM产品，计划2027年7月开工、2029年6月启用首座洁净室；M17将承担NAND闪存生产，计划2027年2月开工、2028年12月启用首座洁净室。

SK海力士预计，2025年至2030年全球DRAM和NAND需求年均复合增速均将达到19%。在韩国扩建核心生产基地的同时考察日本厂址，将其新增产能布局延伸至半导体设备、材料和科研资源较为集中的日本市场。