三星开发8层HBM4E，目标速度17—18Gbps，有望成为英伟达定制HBM关键供应商

8月28日，韩国半导体产业链人士称，三星电子正按照英伟达定制需求开发8层HBM4E，目标单引脚传输速度为17—18Gbps，产品拟适配英伟达新推出的定制高带宽内存架构NVHBM。三星此前规划的HBM4E产品包括8层、12层和16层版本，其中12层产品已于今年5月向全球客户送样。

三星目前公开的12层HBM4E容量为48GB，采用第六代10纳米级1c DRAM工艺和三星晶圆代工4纳米逻辑基础裸片，稳定运行速度为14Gbps，并可扩展至16Gbps，单堆栈带宽最高约3.6TB/s。公司同时规划32GB的8层版本和64GB的16层版本。此次面向英伟达需求开发的8层产品若达到17—18Gbps，将进一步提高现有HBM4E的运行速度。

英伟达8月26日正式推出NVHBM，将其作为NVLink Fusion体系下的定制HBM基础裸片技术，与内存厂商共同进行设计和验证。按照英伟达公布的数据，NVHBM单堆栈内存带宽最高可较标准HBM4E提高30%，HBM功耗可降低15%；其PHY及相关支持区域面积最高可减少67%，并可为主计算裸片释放最多约30%的额外硅片面积。该技术主要面向采用NVLink Fusion的定制XPU和CPU平台。

8层堆叠同时降低了HBM后端制造环节的复杂度。HBM层数增加后，需要对DRAM裸片进行更大程度的减薄并完成高精度堆叠，对键合、散热和良率控制提出更高要求。三星今年3月还展示了面向16层及以上HBM产品的混合铜键合技术，目标是较传统热压键合降低超过20%的热阻。此次8层方案则在减少堆叠层数的同时提高传输速率。

英伟达下一代Rubin Ultra的HBM配置也正在调整。TrendForce数据显示，英伟达在2025年至2026年上半年一直以12层HBM4E作为Rubin Ultra基准方案，自今年第三季度起开始同步评估8层HBM4E、12层HBM4和8层HBM4等配置，目前最终规格尚未确定。调整主要涉及2027年DRAM供应紧张以及12层HBM4E验证和量产良率等因素。

英伟达公布的Rubin Ultra系统规划包括NVL72、NVL144和NVL576三种NVLink扩展规模，其中NVL576为最大配置；下一代Kyber机架设计单机架可容纳144颗GPU，并可进一步组成更大规模的NVLink计算域。