7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂(IIM-1)启动2纳米全环绕栅极(GAA)晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。

Rapidus表示，在正开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将于2026年一季度向先期客户发布，同时为客户打造一个可自主开发原型的环境。Rapidus预计将于2027年开始量产。