8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。

为提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 NAND 可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内的平面(plane)数量从 4 个增加到 6 个。平面是芯片内独立操作单元，这一改变使得并行处理能力得到增强，显著提升了同步读取性能。

因此，与之前的 QLC 产品相比，321 层 QLC NAND 在容量和性能上都有显著提升。数据传输速度翻倍，写入性能最高提升 56%，读取性能提升 18%。此外，写入功耗效率提高了 23% 以上，在对低功耗要求极高的 AI 数据中心领域，其竞争力得到进一步加强。

SK 海力士计划首先将 321 层 NAND 应用于 PC 固态硬盘，随后拓展至数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和智能手机的 UFS。借助其独有的 32DP 技术，该技术可在单个封装内同时堆叠 32 个 NAND 芯片，SK 海力士有望通过实现两倍的集成密度，进军超高容量 eSSD 市场，为 AI 服务器提供服务。

“随着量产的开始，我们在高容量产品组合方面显著增强了实力，并确保了成本竞争力。”SK 海力士 NAND 开发部门负责人 Jeong Woopyo 表示，“我们将随着数据中心市场对 AI 需求的爆炸性增长以及高性能要求的提升，作为全栈 AI 存储提供商实现重大飞跃。”