东芝电子元件及存储装置株式会社与 SICC 两家公司宣布签署了一份谅解备忘录 (MOU)，以探索在 SiC 功率半导体晶圆方面的合作。

根据协议，两家公司将致力于提升SICC开发和生产的SiC晶圆的特性和质量，并扩大向东芝稳定供应高质量晶圆。双方还将探讨共同努力和相互支持的范围。

碳化硅功率半导体可以在电动汽车和可再生能源系统等高温环境下运行，随着效率要求和碳中和目标的不断提高，预计其需求将会不断增长。

东芝目前为铁路应用提供碳化硅功率半导体，并正在向服务器电源和汽车等领域拓展。该公司表示，与SICC的合作将有助于提高未来应用的电源效率、可靠性和业务增长。

SICC成立于2010年，专注于单晶SiC晶圆的开发和生产。该公司于2024年推出了市场上首款12英寸SiC晶圆。2025年，该公司将12英寸晶圆的供应范围扩展到所有产品类别，包括n型、半绝缘和p型晶圆。

两家公司表示，谅解备忘录签署后将继续探讨具体合作细节。