SK海力士在2025年IEDM会议上展示了其最新的5位单元NAND闪存技术，该技术通过将3D NAND单元一分为二，有效提升了位级别，同时将所需电压状态数减少约三分之二，显著提高了速度和耐用性。这一创新技术被视为NAND存储领域的重要突破，有望推动行业向更高容量、更高效能方向发展。

SK海力士在会议主题演讲中介绍了用于五层单元NAND的多站点单元技术。这项技术理念是绕过电压状态限制，避免简单增加位级带来的可靠性问题。传统NAND单元通过测量阈值电压读取电荷，但增加位级会缩小电压状态差距，降低检测裕量，影响速度和耐久性。SK海力士的5bit技术通过分割单元为两个独立部分，每个部分拥有更少且独立的电压状态，组合构建位值，从而解决了这一问题。每个half-cell有六种电压状态，组合后满足PLC闪存所需的32种状态，同时电压间隙更大，降低了电子泄漏，缩短了编程时间，延长了使用寿命。该公司表示，与非MSC PLC闪存相比，读取速度提高了20倍。

SK海力士已制造出带有工作器件的晶圆，并计划研究如何以经济高效的方式制造PLC MSC闪存。这一技术不仅为NAND芯片增加了25%的容量，还为未来6位六级单元(HLC)技术奠定了基础。如果给一个MSChalf-cell八个电压状态，整个cell将有64个电压状态，足以满足HLC需求，且速度和耐久性与现有TLC相当，容量比QLC高出50%。其他闪存制造商如铠侠、美光、三星和闪迪也将开展类似研究，预示着NAND存储领域将迎来新一轮技术竞争。