Nanoveu旗下半导体公司EMASS宣布，其16纳米ECS-DoT系统级芯片已完成流片，并进入台积电制造阶段。

16纳米ECS-DoT基于22纳米平台升级而来，在保持低功耗特性的同时，提升了计算密度、内存带宽和集成度。制程的改进支持在同等功耗限制下运行更复杂的边缘AI工作负载。

当前22纳米ECS-DoT已应用于可穿戴设备、工业传感器等场景，为新一代芯片提供了市场验证基础。客户可在不改变软件架构的情况下，将设计迁移至更高性能的16纳米平台。

新芯片扩展了片上SRAM容量，增强了AI和DSP加速能力，并集成了无线连接、专用AI加速器等模块。这减少了对外部元件的依赖，有助于电池供电设备实现持续低延迟运行。

“流片成功验证了我们的边缘AI方案可向先进制程扩展，”EMASS首席执行官Mark Goranson表示，“16纳米ECS-DoT表明始终在线智能能够应用于更严苛场景，同时满足功耗和成本要求。”

该芯片的主要特性包括：完全集成的BLE子系统，可减少电路板面积和成本；扩展的片上内存，支持更大AI模型；自适应电源管理，优化能量使用；专用物体检测加速器，提升视觉处理效率；集成浮点单元，简化开发流程。

ECS-DoT架构保持了跨代软件兼容性，开发者只需最小改动即可将应用从22纳米迁移至16纳米平台。这保护了现有投资，同时为产品升级提供了便利。

“这一里程碑验证了我们多年的架构设计，”EMASS创始人兼首席技术官Mohamed Sabry博士表示，“16纳米ECS-DoT在提升集成度的同时保持了能效，使我们能够支持更广泛的边缘AI应用。”

EMASS专注于超低功耗边缘AI芯片解决方案，其ECS-DoT芯片采用RISC-V架构，为视觉、音频等数据提供设备端处理，适用于无人机、可穿戴设备、工业物联网等领域。