三星电子:HBM5将采用2纳米GAA工艺,性能较HBM4E提升超五成
三星电子披露HBM5采用2纳米GAA工艺的基础裸片,性能较HBM4E提升超50%,全球首次将2纳米制程用于HBM基础芯片制造。
是德科技RFPro软件获英特尔14A和18A-P工艺认证
是德科技RFPro电磁设计软件获英特尔14A和18A-P工艺认证,助力射频及混合信号设计人员在量产前验证电磁仿真准确性,降低开发风险并加快产品上市。
SEMI在美敦促延长35%半导体税收抵免
国际半导体产业协会(SEMI)在华盛顿国会山举行倡导会议,敦促延长《芯片与科学法案》中第48D条35%的先进制造投资税收抵免,该政策将于年底失效,已推动美国28州数千亿美元半导体投资。
国调基金两度注资护航“中国芯”:长鑫科技科创板上市,募资579亿元创纪录
长鑫科技7月27日在科创板上市,募资约579亿元,为科创板史上最大IPO。中国诚通旗下国调基金此前领投15亿元,本次战略配售再度认购,支持DRAM芯片自主可控。集团总经理郭祥玉出席上市仪式。
美国AMD发布Ryzen 7 7700X3D
AMD在Computex 2026发布Ryzen 7 7700X3D游戏处理器,基于Zen 4架构,8核16线程,搭载3D V-Cache技术,总缓存104MB。该处理器7月16日全球上市,葡萄牙售价354.99欧元,频率低于7800X3D,游戏性能下降约5%。
蔡司SMT德国总部2.5万平方米扩建区域启用
蔡司半导体制造技术部门位于德国Oberkochen总部的2.5万平方米扩建区域逐步启用,该项目2022年奠基,其中新办公楼本月正式启用,以应对AI加速的先进制程芯片需求。
美国AMD推出Venice系列CPU,押注代理AI浪潮
AMD在旧金山发布Venice系列处理器,瞄准代理性AI浪潮。CEO苏姿丰预测AI加速器市场2030年达1.4万亿美元,服务器CPU市场超2000亿美元。Venice性能比英伟达Vera高2.2倍,将配合Helios平台提升性能。
韩国三星电子与博通签署五年2000亿美元芯片合作备忘录
三星电子与博通签署五年2000亿美元合作备忘录,涉及先进存储半导体供应及AI芯片晶圆代工。SK集团计划五年内向美国科技企业供应7500亿美元芯片。韩国总统府推动9500亿美元芯片合作项目,力促建设大型AI数据中心。
英伟达与安靠在美达成15亿美元芯片封装协议
安靠科技与英伟达达成15亿美元多年协议,英伟达预付资金支持安靠在美国扩大先进封装业务,共同开发AI及加速计算封装技术。消息公布后,安靠股价盘后上涨17%。
芯旺微电子在2026中国汽车论坛展示多款车规芯片新品
芯旺微电子在2026中国汽车论坛展示光雨量传感器SoC、底盘驱动芯片、车规MCU及射频芯片等新品,覆盖车控、底盘、智能座舱等领域,助力汽车供应链自主可控。
印度AGNIT半导体拟建GaN芯片厂 推进Semicon 2.0计划
印度班加罗尔初创公司AGNIT Semiconductors计划筹集资金并建设GaN芯片工厂,作为印度Semicon 2.0计划的一部分。该公司生产用于雷达等设备的GaN材料及芯片,已获747万美元资金,正开展试点项目并向全球出口晶圆。
中国晶晨股份预计2026年上半年营收增31.85%
晶晨股份2026上半年营收约43.91亿元,同比增31.85%,净利润约6.08亿元,同比增22.44%,第二季度营收和净利润均创历史新高。6纳米AI芯片已回片,正与百家客户接洽推广。
韩国三星电子将4纳米工艺用于HBM4基础芯片,助力产能恢复
三星电子将4纳米超低功耗工艺用于HBM4基础芯片,由崔正民主导开发,旨在降低功耗并提升性能。随着HBM和AI推理需求扩大,该技术有助于三星4纳米产能利用率快速恢复。
日本高塔半导体30亿美元加码硅光子产能扩张
高塔半导体宣布在日本投资约30亿美元,在日本经济产业省资助下,分两阶段扩大12英寸硅光子、硅锗和先进封装产能,以应对AI与数据中心需求,第一阶段预计2027年投产,并上调长期财务目标。
中国聆思科技年底将发布Nebula系列端侧AI推理芯片
聆思科技计划年底发布Nebula系列端侧AI推理芯片,面向Transformer大模型原生设计,推理速度超100 tokens/s,采用3D-DRAM堆叠提升内存带宽。已与联想、海尔等企业联合预研,推动AI PC、机器人等场景落地。
韩国三星电子平泽园区建设50台混合键合机量产线 年底启动
三星电子在平泽园区建设配备50台D2W混合键合机的量产线,用于下一代HBM和逻辑半导体。选定BESI为首要合作伙伴,但需结构性修改且价格高昂,同时考虑国内设备厂商。设备交付预计年底启动,大规模量产或于2030年实现。
三星DRAM从1α演进至1β NAND从176层堆叠至232层
存储芯片技术演进:DRAM制程从1α升级至1β,并引入第二代HKMG技术;NAND Flash堆叠层数从176层增至232层,采用CuA和双阵列堆叠架构。这些创新推动更高容量、更快速度和更低成本的数据存储。
中国兆易创新5亿元增资子公司加码DRAM项目
存储芯片厂商兆易创新公告,拟使用5亿元A股募集资金向全资子公司珠海横琴芯存增资,用于DRAM募投项目。增资后注册资本增至2亿元。公司上半年预计营收115亿元,净利润69亿元。
韩国浦项科技大学研发4倍HBM集成密度芯片堆叠技术
韩国浦项科技大学金锡教授团队研发出芯片堆叠新工艺,将转移与金属键合整合为一步,可在180℃下堆叠10层以上14微米超薄芯片,集成密度达传统12层HBM的4倍,有望提升AI半导体性能。
力成科技与博通在新加坡合资4亿美元布局面板级封装
力成科技与博通在新加坡合资4亿美元布局面板级封装,主攻RDL工艺,力成承接博通高阶AI芯片封测需求,巩固FOPLP技术领先地位。
印度塔塔电子晶圆厂投产延至2028年 首期采用90nm工艺
印度塔塔电子与力积电合作的古吉拉特邦晶圆厂商业化投产时间延至2028年中,首期采用90nm工艺,该厂投资107亿美元,月产能5万片,是印度首座大型半导体晶圆厂,将主要服务汽车电子、电源管理芯片等市场。
联想2026 WAIC发布全球首款RISC-V服务器 搭载蓝芯LX500
联想在2026年世界人工智能大会上发布全球首款RISC-V服务器——联想问天WR5219 G5,搭载48核异构架构的蓝芯LX500处理器,支持AI推理、虚拟化等负载。
日本Rapidus联手Cadence集成AI代理,SoC设计效率倍增
日本Rapidus与Cadence合作,将Cadence InnoStack AI超级代理集成至其Raads解决方案中,旨在优化先进节点SoC设计流程,目标是将设计周转时间较传统流程提升最多2倍。
德国西门子收购美国Precision Innovations 增强AI芯片规划能力
西门子收购私营EDA软件公司Precision Innovations,旨在通过AI驱动的芯片规划能力扩充其EDA产品组合,帮助半导体团队在SoC设计早期阶段优化功耗与性能,加快产品上市时间。
韩国首尔半导体公司拟在印度设立制造工厂
韩国首尔半导体加速印度布局,正评估多个电子产业集群选址,泰米尔纳德邦、卡纳塔克邦和古吉拉特邦等积极推介场地和定制化激励方案,以吸引其投资并深化本地组件生态系统。
韩国半导体公司FADU第二季度营业利润163亿韩元
FADU在2026年Q2实现销售额732亿韩元、营业利润163亿韩元,上半年累计销售额1327亿韩元、营业利润240亿韩元;新订单超3400亿韩元,获新全球服务器OEM客户,Gen5 SSD控制器供应扩大。
韩国SK集团:推进全球选址建厂以应对AI需求
SK集团会长崔泰源表示正全球选址建设晶圆厂,以应对AI需求暴增引发的供需失衡。他称明年AI需求将增60%至100%,并警告高价策略将引来新进入者,强调需快速扩产以构建超差距产能壁垒。
中国灵汐科技发布LynAInfra类脑超节点,30kW提供近100P算力
灵汐科技在WAIC期间发布自研类脑超节点LynAInfra,以30kW功耗提供近100P算力,推理能效比提升3至10倍,首token延迟压缩至几十到百毫秒级别。
中国天数智芯发布天垓300,性能超越Hopper
国产GPU厂商天数智芯在2026世界人工智能大会上发布新一代通用GPU天垓300,性能超越Hopper方案,针对信息、行动、探索三种智能优化,已在主流模型测试中展现效能优势。
中国瑞芯微在2026WAIC展示端侧双芯,首Token延迟169ms
瑞芯微在2026世界人工智能大会上展示“主控SoC+AI协处理器”双芯协同方案,RK1828协处理器与主控芯片组成双芯架构,Gemma4首Token延迟169.93ms,并展出量产终端及自研工具链,与腾讯、阶跃星辰等合作。
