3月13日，据业内消息，三星电子正在与英伟达合作，加速开发下一代NAND闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种名为“物理信息神经算子”的创新模型。该模型...

在人工智能蓬勃发展的大背景下，NAND 闪存市场正经历命运逆转，生产结构性失衡引发人工智能与消费市场供应危机。内存行业周期性特征明显，如今再次站在关键节点。 几年前人工智能兴起，高带宽内存(HBM)...

近日，铠侠(Kioxia)和闪迪(Sandisk)宣布其位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造工厂—Fab2(K2)正式投入运营。 铠侠介绍称，Fab2能够生产第八代218层3D闪存，采用公司革命性的CBA(CMOS直接键合阵列)技术，并支持未来先进...

复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。该校集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏—刘春森团队研发的