美国半导体设备商应用材料与韩国存储芯片制造商SK海力士宣布，将在硅谷的EPIC研发中心合作开发下一代DRAM和高带宽内存技术。EPIC中心计划今年晚些时候开放，投资额达50亿美元，专注于缩短新技术商业化时间。

两家公司的工程师将在EPIC中心协同工作，初期研发聚焦于材料创新、工艺集成和3D先进封装，以提升未来内存架构的性能与可制造性。联合项目还将推进原子级创新，包括先进图案化、蚀刻和沉积工艺，支持逻辑和存储芯片的进步。

应用材料总裁兼首席执行官Gary Dickerson表示：“应用材料和SK海力士在通过材料工程创新提升先进存储芯片的能效性能方面有着悠久的合作历史。我们很高兴SK海力士作为创始合作伙伴加入EPIC中心，期待共同推动更多突破，加速为AI时代商业化下一代DRAM和HBM技术。”

SK海力士总裁兼首席执行官Nohjung Kwak补充说：“AI系统的持续扩展正在推动对能效内存技术的空前需求。AI进展的最大障碍之一是内存速度与处理器进步之间日益脱节。我们的先进内存技术正在为更快、更节能的数据处理铺平道路，我们期待与应用材料在新的EPIC中心合作，提供创新路线图，实现针对AI优化的下一代内存解决方案。”

此次合作背景是行业面临存储和内存硬件短缺挑战。2025年1月，TrendForce数据指出，到2026年，数据中心可能消耗全球70%的内存产量。三星和SK海力士等厂商预警，内存芯片短缺或持续至2027年，AI基础设施项目可能加剧消费电子产品的供应紧张。