维度网讯，首尔伟傲世于4月27日宣布开发出面向AI数据中心的新型光电半导体产品，将垂直腔面发射激光器和激光二极管技术集成于单一芯片平台。该公司声明称，该产品旨在提升超大规模AI算力集群内部的数据传输效率，同时降低能效损耗，核心应用场景为GPU集群、张量处理单元阵列及高带宽存储器之间的短距光互连。

首尔伟傲世目前持有超过6000项光电半导体相关专利，涵盖紫外LED、可见光LED、激光二极管及化合物半导体外延生长等核心技术领域。此次推出的新型芯片直接瞄准AI基础设施扩张带来的短距光互连需求，用光信号替代传统铜缆电信号进行板间和芯片间通信。光信号在带宽密度方面不受铜导体趋肤效应限制，单通道速率可突破100Gbps，且功耗较同等带宽的电互连方案降低约40%。

AI数据中心内部的数据传输瓶颈随模型参数规模增长而日益突出。万亿参数级大模型训练需要数万颗GPU协同工作，传统铜缆电互连在带宽密度、功耗和信号延迟三项指标上已难以匹配万卡级集群的需求。电信号在铜介质中的衰减随频率升高而加剧，中继器能耗和热管理负担随之攀升。光互连方案凭借高带宽、低功耗和天然的抗电磁干扰特性，正成为超大规模数据中心内部互连的主流技术路线选择。

首尔伟傲世在紫外LED和化合物半导体领域具备超过二十年的技术积累。该公司是全球紫外LED市场的主要供应商，产品广泛应用于杀菌消毒、光固化、医疗及植物照明等领域。此次将VCSEL技术引入数据中心互连市场，是其产品线从消费与工业应用向AI基础设施核心组件延伸的关键一步。VCSEL结构具备低阈值电流、高调制速率和圆形对称光束等特性，适合密集阵列封装和并行多通道光互联场景，可在单芯片上集成数百个发光单元，实现Tbps级别的总带宽输出。

化合物半导体外延工艺是决定激光器性能的核心环节。首尔伟傲世基于自有MOCVD外延生长平台，实现了对铝镓砷和铟镓砷量子阱结构的精确控制，发射波长覆盖850纳米至940纳米区间。该波长范围适配多模光纤的低损耗窗口，与现有数据中心光模块产业链兼容性高。该公司披露，新芯片在工作温度稳定性方面进行了优化，可在0至85摄氏度的数据中心典型环境温度范围内保持恒定光功率输出，无需主动温控补偿。

产品验证与客户对接方面，首尔伟傲世表示该芯片已进入送样验证阶段，正与多家数据中心运营商及光模块制造商进行联合测试。测试内容涵盖误码率、眼图质量、长期可靠性及批量一致性等关键指标。具体客户名称未公开披露。面向AI数据中心的短距光互连市场正吸引多家半导体厂商加速布局，硅光集成、共封装光学和薄膜铌酸锂调制器等并行技术路线均在快速演进中，光互连芯片的竞争格局持续演变。

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