维度网讯，安森美(onsemi)发布基于云的设计工具Elite Pairing Studio，可根据用户定义的系统要求自动匹配SiC MOSFET与兼容的栅极驱动器，解决电力电子开发中手动比对数据手册、电子表格分析和经验测试等迭代密集型元器件配对瓶颈。

该平台通过结构化分步工作流程，引导工程师针对选定SiC MOSFET分析广泛的栅极驱动器组合。评估逻辑基于成熟的行业方程和实际性能计算，对用户完全透明且可检查。针对每个推荐配对，工具计算关键品质因数，包括开关时序、栅极电压和电流波形、相对于器件击穿额定值的电压过冲裕量，以及开通与关断开关能量损耗。

结果在交互式波形查看器中呈现，工程师可在投入系统级仿真前直接对多个配对进行权衡比较，提前了解影响电磁干扰行为和可靠性裕度的因素，这两项参数通常在没有大量台架测试的情况下难以评估。

Elite Pairing Studio被设计为安森美更广泛仿真生态系统的入口。工程师可在工具内导出PLECS兼容的系统级仿真模型，并直接加载至安森美Elite Power Simulator进行热、效率和损耗分析，形成从早期元件选择到完整系统验证的连续开发路径，降低设计风险并缩短上市时间。

该工具在onsemi.com上的私密安全工作空间内运行，无需安装专用软件。目标应用涵盖AI数据中心电源转换、电动汽车动力总成、工业电机驱动和电气化基础设施。未来版本计划支持除SiC MOSFET和栅极驱动器之外的更多安森美器件技术。

Elite Pairing Studio现已在安森美网站提供，并将于德国纽伦堡PCIM Expo 2026（9-332展台）进行演示。

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