维度网讯，CEA-Leti与格芯（GlobalFoundries，GF）在FAMES试点线框架下推进FD-SOI技术的早期研发合作，聚焦能效、可持续性及欧洲技术自主性。该试点线旨在加速先进半导体技术从研究走向应用，产业界参与的目的在于确保研究活动回应当前的应用需求。

双方在PD-SOI与FD-SOI技术上已有逾二十年的合作历史，历经多代技术迭代。这一长期合作推动了FD-SOI作为差异化技术路径的成熟，适用于需要在性能、能效与成本之间取得平衡的应用场景。合作的标志性成果之一是格芯于2018年推出的FDX平台，该平台在格芯德国德累斯顿基地完成开发。基于FD-SOI技术的格芯22FDX工艺，在许多工作负载下性能可与14/16nm FinFET节点相当，同时具备更低的功耗与固有的辐射耐受性。这些特性使其适用于移动设备、消费电子、汽车微控制器、卫星通信、边缘AI及新兴计算架构。此外，FD-SOI技术已在太空及高可靠性场景中得到验证，在能效、变异控制与鲁棒性方面表现突出。

格芯以最终用户身份参与FAMES试点线，重点在于提升FD-SOI能力，包括器件增强的探索性研究，以及针对下一代衬底的合作创新，例如在FAMES框架下开发的应变硅概念，以及涉及Soitec的相关项目。这些工作的目标是扩展FD-SOI的性能与能效边界，以满足未来应用需求。

CEA-Leti首席执行官Sébastien Dauvé表示，FAMES试点线是欧洲强化半导体研究与创新的战略基石，通过与格芯的联合创新，能够加速FD-SOI早期阶段的研究，同时保持对长期创新、可持续性与欧洲技术主权的关注。除下一代FDX器件外，双方正利用FAMES试点线推进多个基于FDX的项目，涵盖5G/6G功率放大器的射频设计、面向边缘AI存内计算的嵌入式非易失性存储器、超低功耗生物医学可穿戴设备以及网络安全组件。两家机构还将FAMES视为未来FDX世代实现3D异构集成的自然路径，以巩固FD-SOI作为欧洲通用、自主且节能硅平台的地位。

格芯总经理兼高级副总裁Manfred Horstmann指出，格芯与CEA-Leti在FD-SOI技术领域合作历史悠久，格芯作为FAMES试点线最终用户，体现了对早期阶段FD-SOI研究及欧洲半导体研究生态系统的持续投入。FD-SOI被普遍视为一项欧洲主导的技术，其发展建立在研究机构与产业界的持续合作基础之上。通过FAMES试点线等举措，CEA-Leti及其合作伙伴持续推动基础技术进展，以支撑长期竞争力、节能计算以及欧洲技术主权。

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