维度网讯，IQE与Tower Semiconductor（高塔半导体）宣布签订一项多年期磷化铟（InP）外延片供应协议，用于支持面向人工智能驱动数据中心基础设施的硅光子学技术。该协议将IQE定位为Tower硅光子学路线图的战略供应商，重点覆盖满足大规模AI集群带宽需求的光连接解决方案。

根据协议，IQE将为Tower的多个先进硅光子学平台供应InP外延片。合作内容涉及每通道200 Gbps可插拔光收发器技术、下一代每通道400 Gbps光调制器的开发，以及面向未来数据中心架构的光电路交换技术。合同中包含了Tower的最低采购承诺以及IQE的对应供应承诺，为长期规模化生产提供了框架。

两家公司还通过另一项独立协议解决了所有未决的知识产权纠纷。作为和解的一部分，Tower将向IQE授予一项全球性、免版税的许可，涉及此前诉讼中的多孔硅专利，从而终止所有相关法律行动。

IQE首席执行官Jutta Meier表示，该协议巩固了IQE在全球一级超大规模云和AI基础设施市场中的地位。凭借数十年的InP外延技术经验和成熟的大规模制造能力，IQE已准备好支持下一代光连接应用，推动其从创新阶段走向商业部署。

在硅光子学领域，InP在激光器和调制器等高性能光学功能方面仍具有关键作用。IQE与Tower讨论的路线图与行业从当前每通道100 Gbps架构向每通道200 Gbps乃至每通道400 Gbps光引擎过渡的趋势相一致，旨在支持下一代AI集群。该公告也进一步巩固了Tower Semiconductor在硅光子学代工服务领域的地位。随着超大规模云服务商、光模块供应商和网络设备供应商寻求制造模式的替代方案，Tower已扩大其硅光子学产品组合。多孔硅专利纠纷的和解消除了潜在干扰，并在光连接、光交换和共封装光子学技术需求加速的背景下，为两家公司建立了更广泛的技术合作关系。

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