维度网讯，美国半导体公司Wolfspeed推出第五代碳化硅（SiC）MOSFET平台，面向下一代1200V和750V汽车与工业电力系统，旨在降低比导通电阻（RSP）并改善高温性能。与现有竞争性1200V SiC方案相比，新技术可将RSP最多降低27%，直接减少导通损耗，帮助系统设计人员提升电流能力、改善逆变器效率并缩小整体尺寸。

首批发布的两款器件为1200V型号QEM50120-025D10和750V型号QEM50075-025D10。1200V器件在175°C下实现芯片级RSP为3.4 mΩ-cm²，750V版本在相同温度下达到2.0 mΩ-cm²。两种电压等级均规定±18%的严格RDS(ON)分布，有助于减少高性能系统中的设计裕量要求。

新型MOSFET适用于电动汽车牵引逆变器、车载充电器、快速充电基础设施、工业电源和固态保护系统。更低的导通和开关损耗可提升车辆续航里程、缩小冷却系统尺寸并提高功率密度；在电动汽车平台中，支持更紧凑的逆变器设计，还可能减少特定续航里程下的电池尺寸需求。

Gen 5器件保留上一代引入的软体二极管结构，同时将最大连续结温扩展至200°C，有限寿命运行可达215°C。该组合改善了反向恢复行为和整体开关性能，同时在严苛环境下支持长期系统可靠性。生产基于Wolfspeed在纽约莫霍克谷（Mohawk Valley）工厂的200 mm SiC制造平台，新一代产品已完成设计、认证，准备利用现有可快速投产基础设施进行量产，客户从设计验证过渡到生产无需新制造工具。

首批Gen 5器件样品QEM50120-025D10和QEM50075-025D10现已提供给特定客户，预计2026年全年至2027年初将推出更多750V和1200V产品。

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