维度网讯，6月24日，韩国存储芯片企业SK海力士正考虑扩大对韩国清州NAND晶圆厂的投资，相关计划预计将在6月29日公布。该计划被纳入韩国半导体产业新一轮设施投资讨论范围，重点指向韩国忠清圈半导体产能建设，可能包括在韩国清州新建或扩建NAND闪存晶圆厂。

韩国清州是韩国SK海力士重要的存储芯片生产基地。该地区既有面向NAND闪存的M11、M12等产线，也承接公司近年来推进的M15X等先进存储制造项目。若此次NAND晶圆厂扩建计划落地，韩国清州将在韩国SK海力士存储制造体系中的地位进一步提高，并与韩国龙仁半导体集群形成不同分工。

NAND闪存主要用于固态硬盘、智能手机、服务器存储、车载存储和边缘计算设备。随着AI服务器、云存储和终端设备对数据存储容量提出更高要求，存储厂商需要在DRAM、高带宽存储器(HBM)之外，同步评估NAND产能和先进制程升级节奏。韩国SK海力士此前已完成对英特尔NAND及SSD业务的收购，NAND业务在其整体存储版图中仍具有长期战略价值。

此次计划尚未进入最终公告阶段。市场关注点主要集中在投资规模、具体厂区、建设周期、设备导入节奏以及产能对应产品类型。若韩国SK海力士选择扩大韩国清州NAND晶圆厂投资，后续可能涉及洁净室建设、刻蚀与薄膜沉积设备采购、存储阵列制程升级、封装测试配套和本地供应链协同。对晶圆厂项目而言，投资决定公布只是起点，真正形成产能还需要经过设计、施工、设备搬入、工艺验证和良率爬坡。

韩国政府近期也在推动半导体设施投资向更多地区延伸。除韩国京畿道龙仁半导体集群外，韩国忠清圈、湖南圈和岭南圈都有可能被纳入新一轮半导体和AI基础设施布局。韩国SK海力士若在韩国清州追加NAND投资，将有助于强化韩国本土存储芯片制造能力，也能在全球存储周期回暖和AI需求扩大背景下，为后续产品供给预留更大空间。

这项计划仍需等待6月29日相关会议和企业后续公告确认。当前可以确定的是，韩国SK海力士正在重新评估韩国清州NAND晶圆厂投资安排;最终是否扩建、扩建规模多大、是否新建独立产线，还要以正式披露内容为准。后续进展将影响韩国SK海力士在NAND闪存市场的产能配置，也将成为韩国本土半导体投资版图中的重要观察点。

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